近日,兩個(gè)百億級(jí)半導(dǎo)體項(xiàng)目即將迎來(lái)投產(chǎn),長(zhǎng)飛先進(jìn)總投資超200億元的武漢第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地首批設(shè)備已搬入,預(yù)計(jì)明年5月量產(chǎn)通線;格力旗下投資近百億元建設(shè)的全自動(dòng)第三代半導(dǎo)體(碳化硅)芯片工廠正式建成并投入生產(chǎn)。
據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官方消息,12月18日,長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式搬入。
一般而言,廠房建設(shè)主要分為設(shè)備選型、設(shè)備搬入、工藝驗(yàn)證及產(chǎn)品通線四個(gè)階段。長(zhǎng)飛先進(jìn)總裁陳重國(guó)表示,首批設(shè)備的進(jìn)駐,標(biāo)志著武漢基地項(xiàng)目正式進(jìn)入產(chǎn)能建設(shè)新階段,接下來(lái)還將面臨工藝驗(yàn)證、產(chǎn)品通線等更多、更難的挑戰(zhàn)。目前,長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正加快推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試,預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。
官方資料顯示,長(zhǎng)飛先進(jìn)本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié),包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等,將為武漢基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)根基。
2023年8月25日,長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢新城;7天后,該項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè)。據(jù)悉,長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn),總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元,其中項(xiàng)目一期總投資80億元,規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。今年6月,該項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。從打下第一根樁到實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂,廠房建設(shè)耗時(shí)不到10個(gè)月。
12月17日,格力電器官方視頻號(hào)發(fā)布相關(guān)視頻,展示了旗下投資近百億元建設(shè)的全自動(dòng)第三代半導(dǎo)體(碳化硅)芯片工廠。
據(jù)悉,格力電器的碳化硅芯片工廠正式建成并投入生產(chǎn);格力電器董事長(zhǎng)董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示,格力芯片成功了,格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計(jì)、自主制造到整個(gè)全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。
據(jù)悉,該項(xiàng)目自2022年12月開始打樁建設(shè),僅用時(shí)10個(gè)月完成芯片廠房的建設(shè)和設(shè)備移入,并在388天內(nèi)實(shí)現(xiàn)全面通線。此外,工廠關(guān)鍵核心工藝的國(guó)產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過(guò)70%,為全自動(dòng)缺陷檢測(cè)方案的碳化硅芯片制造工廠。
產(chǎn)能方面,根據(jù)珠海市生態(tài)環(huán)境局在官網(wǎng)于2023年6月披露的“格力電子元器件擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表受理公告”顯示,格力電器的第三代半導(dǎo)體芯片工廠項(xiàng)目總用地面積約為20萬(wàn)平方米,施工周期為12個(gè)月,將新建3座廠房及其配套建筑設(shè)施,其生產(chǎn)廠房1計(jì)劃安裝6英寸SiC芯片生產(chǎn)線,生產(chǎn)廠房2計(jì)劃安裝6英寸晶圓封裝測(cè)試生產(chǎn)線,生產(chǎn)廠房3作為二期預(yù)留工程。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后,將擁有年產(chǎn)24萬(wàn)片的6英寸SiC芯片制造及封裝測(cè)試能力,原計(jì)劃于2024年6月量產(chǎn)。
封面圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)