近日，Soitec宣布，將與純晶圓代工廠X-Fab開(kāi)始合作，在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供Soitec的SmartSiC技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。

此次合作是在評(píng)估階段成功完成之后進(jìn)行的，在此期間，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過(guò)聯(lián)合供應(yīng)鏈寄售模式為X-Fab的客戶(hù)提供SmartSiC襯底的使用權(quán)。

據(jù)悉，Soitec正在其位于法國(guó)格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大Smart SiC襯底的產(chǎn)量。而X-Fab正在拉伯克工廠提高SiC器件的生產(chǎn)能力。

碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導(dǎo)體材料，具有固有特性，在功率應(yīng)用中比硅具有卓越的性能和效率。 隨著新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等市場(chǎng)需求推動(dòng)，SiC功率器件用量持續(xù)走高。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究，2023年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。

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