10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。該技術在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造，并已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、器件設計、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項全球?qū)＠?/p>

據(jù)介紹，安森美的垂直氮化鎵技術采用單芯片設計，可應對1,200伏及以上高壓，高頻開關大電流，能效卓越?；谠摷夹g構(gòu)建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。

相比起目前市售的大多數(shù)GaN器件采用的非氮化鎵襯底，如硅或藍寶石襯底。對于超高壓器件，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術，使電流能夠垂直流過芯片，而不是沿表面橫向流動。這設計可實現(xiàn)更高的功率密度、更優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，且在極端條件下性能依舊穩(wěn)健。憑借這些優(yōu)勢，vGaN全面超越了硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）和藍寶石基氮化鎵（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐壓能力、開關頻率、可靠性以及耐用性。這有助于開發(fā)更小、更輕便、更高效的電源系統(tǒng)，同時降低散熱需求和整體系統(tǒng)成本。

新一代 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體，能實現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領域?qū)崿F(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。