近期，北京科技大學舉行前沿交叉科學技術(shù)研究院、未來技術(shù)學院、未來芯片關(guān)鍵材料與技術(shù)集成創(chuàng)新中心揭牌儀式。

上述三家單位致力于持續(xù)推進集人才培養(yǎng)、科學研究、平臺建設(shè)于一體的發(fā)展模式，努力建設(shè)世界一流前沿交叉科學研究平臺和領(lǐng)軍人才培養(yǎng)基地，搶占未來科技戰(zhàn)略制高點。

資料顯示，近年北京科技大學頻頻在芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。今年年初，北京科技大學宣布前沿交叉科學技術(shù)研究院張躍院士及張錚教授團隊等人在《Nature Materials》上發(fā)表重要研究成果。

大規(guī)模生產(chǎn)高質(zhì)量的二維過渡金屬二硫族化物（TMDCs）是二維器件工業(yè)制造中的一個重大挑戰(zhàn)。張躍院士及張錚教授團隊等人提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶MoS2晶疇，這些MoS2單晶展現(xiàn)出卓越的均勻性和高質(zhì)量，具有極低的缺陷密度。

由MoS2制造的場效應(yīng)晶體管的統(tǒng)計分析表明，器件良率高，遷移率變化最小。這種2DCZ方法對制造高質(zhì)量和可擴展的二維半導(dǎo)體材料和器件具有重要意義，為下一代集成電路的制造提供了重要的材料基礎(chǔ)。相關(guān)成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS2”為題于2025年1月10日發(fā)表在Nature Materials上。第一作者為姜鶴博士。

此外，去年7月，北京科技大學宣布與新紫光集團簽約戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦先進制程集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究開展科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化人才培養(yǎng)等全方位合作，共同打造集成電路領(lǐng)域的未來科學與技術(shù)戰(zhàn)略高地，主要包括共同建設(shè)“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺，重點開展二維半導(dǎo)體材料與器件的規(guī)?；苽涔に嚭托酒O(shè)計制造等方面的產(chǎn)學研合作，在二維半導(dǎo)體材料制備、關(guān)鍵裝備研發(fā)、集成制造工藝技術(shù)等方面協(xié)同攻關(guān)。