英特爾（Intel）日前產(chǎn)業(yè)會(huì)議透露，開始用兩臺(tái)阿斯麥（ASML）High-NA Twinscan EXE：5000 EUV光刻機(jī)。 英特爾工程師 Steve Carson 表示，奧勒岡州Hillsborough附近 D1 工廠開始用ASML 兩臺(tái) High-NA EUV，至今處理達(dá) 3 萬(wàn)片晶圓。

每臺(tái)High-NA EUV成本高達(dá)3.5億歐元，英特爾更是全球第一家安裝High-NA EUV的主要芯片商。 英特爾接下來(lái)幾年將用它們生產(chǎn)Intel 14A芯片。

領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手使用新制造工具非常重要，因能使英特爾開發(fā)各種 High-NA EUV 技術(shù)（如光罩玻璃、光罩保護(hù)膜、化學(xué)品等），最終可能成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ASML 準(zhǔn)備據(jù)英特爾工程師回饋開發(fā) Twinscan EXE：5000 High-NA EUV，可能會(huì)使英特爾更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

英特爾表示新系統(tǒng)「比舊型號(hào)更可靠」，雖報(bào)導(dǎo)未詳細(xì)說明ASML Twinscan EXE：5000是否比2013年生產(chǎn)Twinscan NXE：3300更可靠，或比量產(chǎn)型號(hào)Twinscan NXE：3600D /NXE：3800E更可靠。 考慮到ASML對(duì)NXE和EXE用類似光源，可能正如英特爾所說，非?？煽俊?/p>

ASML Twinscan EXE High-NA EUV 只需一次曝光即可達(dá)成低至8 納米的分辨率，與一次曝光13.5 納米分辨率一般標(biāo)準(zhǔn)EUV 相較，是重大改進(jìn)。 前代一般標(biāo)準(zhǔn)EUV仍可雙重曝光達(dá)8納米分辨率，但會(huì)拉長(zhǎng)生產(chǎn)周期，并影響良率。

與一般標(biāo)準(zhǔn)EUV相較，High-NA EUV將曝光范圍縮小一半，需芯片開發(fā)人員更改設(shè)計(jì)。 有鑒于 High-NA EUV 微影系統(tǒng)成本和特殊性，所有芯片商都采用不同策略。 英特爾成為第一個(gè)用戶后，對(duì)手臺(tái)積電更謹(jǐn)慎。