近日，ASML新任執(zhí)行長(zhǎng)Christophe Fouquet在SPIE（國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)）大會(huì)上發(fā)表演講時(shí)，重點(diǎn)介紹了High NA EUV光刻機(jī)。此外，Christophe Fouque還確認(rèn)，英特爾的第二套High NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)組裝完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻機(jī)將不太可能像當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲交貨的情況，其原因是ASML找到了組裝掃描器組件的新方法，就是直接在客戶工廠安裝，無需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過程，這將大大節(jié)省ASML與客戶之間的時(shí)間和成本，有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)貨和交貨。

另外，英特爾院士兼曝光技術(shù)總監(jiān)Mark Phillips也表示，英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成了兩套High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝。同時(shí)且，Mark Phillips還公布了一些資料，說明了相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)所帶來的改進(jìn)，透過High NA EUV光刻機(jī)應(yīng)用出來的改善結(jié)果可能要比之前想像中還要多。

Mark Phillips強(qiáng)調(diào)，由于已經(jīng)有了經(jīng)驗(yàn)，第二套High NA EUV曝光系統(tǒng)的安裝速度比第一個(gè)更快。據(jù)稱，High NA EUV光刻設(shè)備所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開始運(yùn)行。用于High NA EUV光刻的光罩檢測(cè)工作已經(jīng)按計(jì)劃開始進(jìn)行。因此，英特爾無需做太多輔助支援工作即可將其投入生產(chǎn)。

另外，Mark Phillips還被問到了關(guān)于CAR（化學(xué)放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題。據(jù)其介紹，CAR目前還夠用，但可能在未來某個(gè)時(shí)候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標(biāo)是Intel 14A制程技術(shù)能在2026~2027年量產(chǎn)，屆時(shí)將制程技術(shù)進(jìn)一步進(jìn)行提升。