據(jù)“工信微報”公眾號消息，為促進首臺（套）重大技術(shù)裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應(yīng)用，加強產(chǎn)業(yè)、財政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同，工信部印發(fā)了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024 年版）》（以下簡稱“《目錄》”）。

該《目錄》列表中提到和氟化氪光刻機氟化氬(ArF)光刻機。其中氟化氪光刻機光源248納米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm；氟化氬光刻機光源193納米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

目前來說，光刻機共經(jīng)歷了六代的發(fā)展，從最早的436nm波長，再到第二代光刻機開始使用波長365nm i-line，第三代則248nm的KrF激光，第四代193nm波長的ArF光刻機，屬于干式DUV光刻機。第五代是ArFi，即浸沒式DUV光刻機。第六代指的是極紫外EUV光刻機。

據(jù)悉，氟化氪（KrF）和氟化氬（ArF）兩種氣體均服務(wù)于深紫外（DUV）光刻機，適用于產(chǎn)生深紫外光的準分子激光器。綜合行業(yè)各方消息，工信部此次推廣的氟化氬光刻機等用瑞利判據(jù)（CD =k1*λ/NA）倒推出該光刻機物鏡的NA值為0.75 , 這個光刻機大概可以量產(chǎn)28nm工藝的芯片。

除了光刻機，其他集成電路生產(chǎn)設(shè)備還包括硅外延爐、濕法清洗機、氧化爐、涂膠顯影機、高能離子注入機、低能離子注入機、等離子干法刻蝕機、特征金屬膜層刻蝕機、化學(xué)氣相沉積設(shè)備、物理氣相沉積裝備、化學(xué)機械拋光機、激光退火裝備、光學(xué)線寬量測裝備等。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)