9月11日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。

鎵仁半導(dǎo)體指出，氧化鎵（β-Ga2O3）具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、Baliga品質(zhì)因數(shù)大等優(yōu)勢(shì)，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面具有巨大的應(yīng)用潛力，能夠極大地降低器件工作時(shí)的電能損耗，有望成為未來半導(dǎo)體電力電子領(lǐng)域的主力軍。

但是，氧化鎵熱導(dǎo)率較低，會(huì)加重器件的自熱效應(yīng)，大量熱量積累在器件內(nèi)部，會(huì)導(dǎo)致器件性能退化，使其在高功率領(lǐng)域的應(yīng)用受到極大的限制。

減薄襯底厚度，能夠使器件產(chǎn)生的熱量通過襯底散出，增強(qiáng)器件的散熱能力，提高器件性能。超薄6英寸襯底為高性能器件的制備提供了一種新選擇，滿足功率器件領(lǐng)域的科研與生產(chǎn)需求，促進(jìn)業(yè)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。

資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體開創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。

技術(shù)進(jìn)展方面，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。

今年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。6月底，鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議，雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合，用碳化硅出色的散熱性能來彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足，同時(shí)通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)