7月8日，天岳先進發(fā)布公告稱，其擬以簡易程序向特定對象發(fā)行股票，募集資金總額不超過3億元（含本數(shù)），扣除相關發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規(guī)級SiC襯底制備技術(shù)提升項目。

預案顯示，本次項目主要研發(fā)方向包括SiC生長熱場仿真、SiC單晶應力控制、SiC單晶微缺陷控制、導電型SiC電阻率控制等。天岳先進本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費用及設備購置費。項目建設周期為24個月，包括廠房凈化間裝修改造、設備采購安裝、新技術(shù)和工藝試驗等三個階段。

此前，據(jù)上海臨港管委會官網(wǎng)信息顯示，天岳先進的“碳化硅半導體材料二期（一階段）項目”的環(huán)評信息已于近日公示。上海天岳利用“現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)增加生產(chǎn)設備開展8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線建設，并對現(xiàn)有6英寸碳化硅晶片部分工藝進行改造”。

公開資料顯示，上海天岳為天岳先進全資子公司，上海天岳公示環(huán)評表明該公司的上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能建設已經(jīng)進入實質(zhì)性階段。據(jù)悉，天岳先進臨港工廠已經(jīng)達到年產(chǎn)30萬片襯底產(chǎn)能規(guī)劃目標。臨港工廠的8英寸碳化硅總體產(chǎn)能規(guī)劃約60萬片，公司將分階段實施。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)