3月2日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，公司將2021年首次發(fā)行股票并上市募集的35億元資金的閑置資金，在不影響募集資金投資項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度的前提下，使用不超過5億元投資“碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目”。

碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目總投資額為25億元，此前天岳先進(jìn)上市時(shí)曾斥資20億元投資該項(xiàng)目。本次募集資金將投資項(xiàng)目的資金使用計(jì)劃及項(xiàng)目的建設(shè)進(jìn)度，公司已對(duì)募集資金進(jìn)行了專戶存儲(chǔ)，并隨時(shí)根據(jù)項(xiàng)目進(jìn)展及需求情況及時(shí)歸還至募集資金專用賬戶。

資料顯示，天岳先進(jìn)成立于2010年11月，是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。

天岳先進(jìn)上海工廠產(chǎn)量持續(xù)爬坡，建設(shè)進(jìn)度超預(yù)期。根據(jù)2022年募投計(jì)劃，公司將于上海臨港建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)基地，擴(kuò)大公司在導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底的生產(chǎn)能力，原計(jì)劃于2022年試生產(chǎn)、2026年達(dá)產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能30萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底。

據(jù)TrendForce集邦咨詢此前預(yù)估2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元。

從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上看，SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)~45%。

碳化硅產(chǎn)業(yè)正在高速發(fā)展中，作為上游材料的碳化硅襯底顯得尤為重要。碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。

除了天岳先進(jìn)加速布局碳化硅襯底，此前重投天科和同光股份等傳來新動(dòng)態(tài)。

2月27日，重投天科第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用。該基地總投資32.7億元，重點(diǎn)布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片。

2023年12月底，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅單晶襯底制造企業(yè)同光股份宣布完成F輪融資。本輪融資規(guī)模為15億元，由深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)新材料基金、京津冀協(xié)同發(fā)展產(chǎn)業(yè)投資基金領(lǐng)投，保定高新區(qū)創(chuàng)業(yè)投資有限公司、河北產(chǎn)投戰(zhàn)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展中心聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加速重點(diǎn)項(xiàng)目布局，加筑技術(shù)壁壘，構(gòu)建企業(yè)級(jí)生態(tài)體系，培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)人才。

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