3月2日，拓荊科技發(fā)布公告稱，公司基于整體戰(zhàn)略布局及經(jīng)營發(fā)展的需要，為加快產(chǎn)能規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)布局，擬投資建設(shè)“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目”，本項(xiàng)目由公司及其子公司拓荊創(chuàng)益共同實(shí)施。

根據(jù)公告，本項(xiàng)目擬選址于沈陽市渾南區(qū)，項(xiàng)目占地面積約147畝，其中公司擬購買土地使用權(quán)面積約42畝，拓荊創(chuàng)益擬購買土地使用權(quán)面積約105畝（具體以實(shí)際情況為準(zhǔn)）；項(xiàng)目總投資額約為人民幣110,000.00萬元，其中公司投資金額約為人民幣38,000.00萬元，拓荊創(chuàng)益投資金額約為人民幣72,000.00萬元。

目前，拓荊科技已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于國內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產(chǎn)線。

拓荊科技表示，公司本次新建項(xiàng)目通過提升公司半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的產(chǎn)能，可以進(jìn)一步推動公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長，進(jìn)而提升公司薄膜沉積設(shè)備的市場份額，抓住市場機(jī)遇，迅速擴(kuò)大企業(yè)規(guī)模。

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