據(jù)路透社報(bào)導(dǎo)，全球光刻機(jī)大廠ASML CEO Peter Wennink表示，盡管有些供應(yīng)商遇到了一些阻礙，但今年年底將照計(jì)劃推出下一代的High NA（高數(shù)值孔徑）EUV產(chǎn)品線的首款產(chǎn)品。

由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(zhǎng)（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)（193 nm）有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替?？梢詭椭酒圃焐汤^續(xù)向7nm及以下更先進(jìn)制程工藝推進(jìn)的同時(shí)，進(jìn)一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻機(jī)可以支持芯片制造商將芯片制程推進(jìn)到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進(jìn)到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑（NA）的High-NA光刻機(jī)。

相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進(jìn)一步提升分辨率（根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過(guò)多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。

業(yè)界預(yù)測(cè)，有望最早使用High-NA EUV設(shè)備的會(huì)是英特爾、臺(tái)積電、三星、美光等頭部客戶，目前，科林研發(fā)、柯磊、HMI和JSR及TEL等正與ASML合作，開(kāi)發(fā)High-NA EUV材料與特用化學(xué)品。

目前，臺(tái)積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進(jìn)的3nm以及2nm先進(jìn)制程，以滿足高性能計(jì)算等先進(jìn)芯片需求。同時(shí)，三星、SK海力士、美光的DRAM先進(jìn)制程競(jìng)賽不斷加熱，由此ASML新一代的高數(shù)值孔徑 High-NA EUV光刻機(jī)就成為了各家爭(zhēng)奪的香餑餑。

英特爾此前曾對(duì)外表示，其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。英特爾中國(guó)區(qū)總裁兼董事長(zhǎng)王銳在今年三月的一次活動(dòng)中表示，公司已完成Intel 18A（1.8nm）和Intel 20A（2nm） 制造工藝的開(kāi)發(fā)。其中，Intel 20A計(jì)劃于2024年上半年投入使用，進(jìn)展良好的Intel 18A制造技術(shù)也將提前到2024年下半年進(jìn)入大批量制造（HVM）。上述制程或?qū)⒂胁糠掷肏igh-NA EUV光刻機(jī)。

三星方面，2022年6月外媒消息顯示，三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕在荷蘭ASML總部會(huì)見(jiàn)了ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink和CTO Martin van den Brink，并簽署了一項(xiàng)協(xié)議，將引進(jìn)今年將生產(chǎn)的EUV光刻設(shè)備和高數(shù)值孔徑(NA) EUV光刻機(jī)設(shè)備。消息顯示，預(yù)計(jì)三星電子將從2024年開(kāi)始實(shí)際使用High NA EUV 光刻設(shè)備。

2022年9月，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰也對(duì)外表示，臺(tái)積電將在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。具體的量產(chǎn)將會(huì)是在2025年。

2022年4月，ASML曾披露，其位于Veldhoven的新潔凈室中已經(jīng)開(kāi)始集成第一個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng)（EXE:5000）。2022年第一季度收到了多個(gè)EXE:5200系統(tǒng)（量產(chǎn)版High-NA EUV光刻系統(tǒng)）的訂單，2022年4月還收到了額外的EXE:5200 訂單。ASML當(dāng)時(shí)確認(rèn)，已收到了來(lái)自三個(gè)邏輯廠商和兩個(gè)存儲(chǔ)廠商的 High-NA EUV訂單。業(yè)界猜測(cè)，這里提到的三個(gè)邏輯晶圓廠應(yīng)該是英特爾、臺(tái)積電和三星，兩個(gè)存儲(chǔ)晶圓廠或許是三星和SK海力士。

對(duì)于High-NA EUV光刻系統(tǒng)的商用，Peter Wennink此前也表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系統(tǒng)將首次應(yīng)用于晶圓廠，計(jì)劃在2026年至2027年之間的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)批量生產(chǎn)該設(shè)備，并將盡可能擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)到2027-2028年，High-NA EUV光刻系統(tǒng)的年產(chǎn)能將達(dá)到20個(gè)。

價(jià)格方面，ASML每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格是出了名的昂貴，據(jù)悉其最新的High-NA EUV光刻機(jī)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間，當(dāng)前熱銷的EUV光刻機(jī)單價(jià)則為1.5億-2億美元。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)