6月28日，全球半導體設備大廠ASML與比利時微電子研究中心（IMEC）宣布，雙方已簽署備忘錄，將在開發(fā)最先進高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗線的下一階段加強合作，為使用半導體技術的行業(yè)提供原型設計平臺和未開發(fā)的未來機遇。

據(jù)了解，雙方第一階段的工藝研究正在使用第一臺高級NA EUV掃描儀(TWINSCAN EXE：5000)在imec-ASML高級NA實驗室中執(zhí)行。IMEC和ASML將與所有領先的芯片制造商、材料和設備生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作，目的是為最快可能地大規(guī)模制造做好技術準備。在下一階段，這些活動將在比利時魯汶市IMEC試點線的下一代高級NAEUV掃描儀(TWINSCAN EXE：200)上加速進行。

雙方簽署的諒解備忘錄包括在比利時魯汶的IMEC試驗線安裝和服務ASML的全部先進光刻和測量設備，包括最新的0.55NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、0.33NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV浸沒（TWINSCAN NXT:2100i）、Yieldstar光學測量和HMI多光束等。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)