據(jù)外媒報道，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭ASML計劃在韓國投資建設(shè)的再制造工廠及培訓(xùn)中心于11月16日開工，ASML執(zhí)行長Peter Wennink表示，將投資至少2400億韓元，以便與三星電子和SK海力士等當(dāng)?shù)乜蛻艉献鳎⒂媱澰?024年全部建成。

2021年11月，ASML與韓國華城簽署了備忘錄，計劃在韓國投資2400億韓元建設(shè)光刻設(shè)備再制造工廠及培訓(xùn)中心，主要用途是為韓國當(dāng)?shù)剡\行的EUV光刻機的維護和升級提供助力。

對于半導(dǎo)體設(shè)備的擴產(chǎn)規(guī)劃，Peter Wennink于11月15日表示，新High-NA EUV微影曝光設(shè)備有望于2024年出貨，首次應(yīng)用于晶圓廠，單臺成本3億-3.5億歐元。

資料顯示，High-NA EUV系統(tǒng)將提供0.55數(shù)值孔徑，與0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV相比，精度提高，具更高解析度圖像化能力，以完成更小電晶體，對2納米以下制程是必要設(shè)備。

客戶方面，雖然價格高昂，但今年年初ASML依然收到了來自英特爾的最新款High-NA EUV“EXE:5200”首張訂單，并預(yù)計到2025年將該設(shè)備加入量產(chǎn)，除英特爾外，臺積電亦有下單。而三星、SK海力士雖未公開證實，但也傳出向ASML下訂單。從目前需求看，ASML年產(chǎn)20臺可能會供不應(yīng)求，所以芯片廠可能為了先獲得設(shè)備展開激烈競爭。

此前ASML曾表示，計劃在2025年到2026年進一步提高產(chǎn)能，包括年產(chǎn)90臺EUV（極紫外光）光刻機和600臺DUV（深紫外光）光刻機，同時，在2027年到2028年，增產(chǎn)20個系統(tǒng)高NA EUV光刻機。

Wennink指出，High-NA EUV設(shè)備將于2024年首次應(yīng)用于晶圓廠，長期計劃為年產(chǎn)20臺。

被問及全球芯片市場，Wennink認為，雖然短期低迷持續(xù)，但從中長期看，市場只會成長，并預(yù)計未來10年，半導(dǎo)體市場平均每年成長9%，2030年產(chǎn)值將落在1萬億至1.3萬億美元。其表示，隨著全球?qū)ο冗M芯片的需求日益飆升，公司可能會進行并購。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)