近日，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項(xiàng)目封頂儀式在蘇州工業(yè)園區(qū)納米城舉行，該項(xiàng)目于去年12月2日奠基。

晶湛半導(dǎo)體總部項(xiàng)目位于蘇州工業(yè)園區(qū)納米城E地塊，百川街西，南蕩田巷北，總建筑面積23443.27平方米。項(xiàng)目聚焦第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，預(yù)期項(xiàng)目建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的氮化鎵電力電子材料和微顯示材料生產(chǎn)基地。

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布此前消息，晶湛半導(dǎo)體致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，是園區(qū)自主培育的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料領(lǐng)軍企業(yè)，申請專利近400項(xiàng)，授權(quán)近百項(xiàng)。2014年晶湛半導(dǎo)體在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片；2021年9月，晶湛半導(dǎo)體全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片。

據(jù)了解，晶湛半導(dǎo)體擬投資2.8億元進(jìn)行異地?cái)U(kuò)建，在蘇州工業(yè)園區(qū)百川街西、南蕩田巷北自購?fù)恋亟ㄔO(shè)新廠區(qū)，建成后年產(chǎn)氮化鎵外延片24萬片。其中，6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產(chǎn)能均為12萬片，用于制造微波功率器件和電力電子功率器。項(xiàng)目預(yù)計(jì)2023年2月完成建筑施工。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)