9月28日，盛美半導體設(shè)備（上海）股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”)，宣布其對300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺進行了功能擴展，研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應用。

盛美上海還宣布，首臺Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于本月底運往中國一家先進的邏輯制造商，并計劃于2023年底通過驗證。

圖片來源：盛美上海

盛美上海董事長王暉表示，“隨著邏輯節(jié)點的不斷縮小，越來越多的客戶為滿足其先進的工藝要求，努力尋找愿意合作的供應商共同開發(fā)。ALD是先進節(jié)點制造中增長最快的應用之一，是本公司立式爐管系列設(shè)備的關(guān)鍵性新性能。得益于對整個半導體制造工藝的深刻理解和創(chuàng)新能力，我們能夠迅速開發(fā)全新的濕法和干法設(shè)備，以滿足新興市場的需求。全新ALD立式爐設(shè)備基于公司現(xiàn)有的立式爐設(shè)備平臺，搭載差異化創(chuàng)新設(shè)計，軟件算法優(yōu)化等實現(xiàn)原子層吸附和均勻沉積。”

據(jù)介紹，盛美上海新型熱ALD設(shè)備可沉積氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出廠的首臺Ultra Fn A設(shè)備將用于28納米邏輯制造流程，以制造側(cè)壁間隔層。此工藝要求刻蝕速率極低，且臺階覆蓋率良好，與其他實現(xiàn)模式相比，Ultra Fn A立式爐設(shè)備在模擬中實現(xiàn)了均一性的改善。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)