近日，據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心消息，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)到50mm的6英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機(jī)。

該重要進(jìn)展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低。目前，國(guó)內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到6英寸，但其厚度通常在~20-30 mm之間，導(dǎo)致一個(gè)碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當(dāng)有限。

50mm厚度的實(shí)現(xiàn)，一方面節(jié)約了昂貴的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一個(gè)碳化硅單晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片數(shù)量能夠翻倍，所以能夠大幅降低碳化硅襯底的成本。

浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院緊緊圍繞國(guó)家重大戰(zhàn)略需求和浙江省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，研究院由楊德仁院士擔(dān)任首席科學(xué)家，學(xué)術(shù)委員會(huì)主任由鄭有炓院士擔(dān)任，院長(zhǎng)由盛況教授擔(dān)任，整合浙江大學(xué)電氣學(xué)院、材料學(xué)院、信電學(xué)院以及上下游相關(guān)企業(yè)力量，著力打造第三代半導(dǎo)體研發(fā)、制造、應(yīng)用和測(cè)試評(píng)價(jià)全產(chǎn)業(yè)鏈的新格局。

2020年11月， 浙大杭州科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院首爐碳化硅單晶成功“出爐”， 2021年4月，浙大杭州科創(chuàng)中心研制出首批碳化硅晶圓，標(biāo)志著科創(chuàng)中心擁有了在碳化硅晶圓加工方面開展高水平研究的能力。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)