6月8日，美國(guó)MOCVD設(shè)備廠商Veeco 宣布，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究所（TSRI、Narlabs）已選擇Veeco的Propel® R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD）設(shè)備，用于以氮化鎵（GaN）為基礎(chǔ)的功率和射頻器件相關(guān)的前沿開(kāi)發(fā)和協(xié)作。

據(jù)官方介紹，Veeco的Propel® GaN MOCVD系統(tǒng)專(zhuān)為功率半導(dǎo)體和射頻應(yīng)用設(shè)計(jì)，配置了一個(gè)單晶圓反應(yīng)器平臺(tái)，能夠沉積高質(zhì)量GaN膜，用于生產(chǎn)高效功率器件和射頻器件。

單晶圓反應(yīng)器是基于Veeco的Turbo Disc®技術(shù)，包括Iso Flange™和Symm Heat™突破性技術(shù)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)整個(gè)晶圓的均質(zhì)層流及一致的溫度曲線(xiàn)，它是大批量生產(chǎn)和300mm功能以及研發(fā)應(yīng)用的理想選擇。

Veeco 表示，Propel® R&D MOCVD設(shè)備已安裝在TSRI新竹實(shí)驗(yàn)室，能夠聯(lián)合協(xié)作推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，以及GaN新興市場(chǎng)開(kāi)發(fā)和展示技術(shù)的能力。此次雙方將共同努力和協(xié)作加速第三代半導(dǎo)體技術(shù)在200和300mm襯底上的大批量、低成本應(yīng)用。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)