近日，中國科學院物理研究所在其官網(wǎng)宣布，已成功研制出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，晶坯厚度接近19.6 mm，同時加工出了厚度約2mm的8英寸SiC晶片，相關工作已申請了三項中國發(fā)明專利。

資料顯示，碳化硅（SiC）是一種寬帶隙化合物半導體。相比同類硅基器件，SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領域具有重要的應用潛力。

自2006年開始，中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心先進材料與結構分析重點實驗室陳小龍研究團隊在國內(nèi)率先開展了SiC單晶的產(chǎn)業(yè)化，成功將研究成果在天科合達轉(zhuǎn)化。

通過產(chǎn)學研結合，先后成功研制出了4英寸（2010年）和6英寸（2014）SiC單晶，并且實現(xiàn)了4-6英寸SiC襯底的大批量生產(chǎn)和銷售。2021年10月，陳小龍研究團隊最終在自研的襯底上初步生長出了8英寸SiC晶體。

中國科學院物理研究所表示，8英寸SiC導電單晶研制成功是物理所在寬禁帶半導體領域取得的又一個標志性進展，研發(fā)成果轉(zhuǎn)化后，將有助于增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力，促進我國寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)