2月15日，無錫吳越半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“吳越半導(dǎo)體”）近日完成了數(shù)億元A輪融資。本輪融資由達(dá)晨財智領(lǐng)投，新投集團(tuán)、清大海峽投資、龍鼎資本等跟投。據(jù)介紹，本輪融資資金將主要用于吳越半導(dǎo)體氮化鎵自支撐襯底的研發(fā)與擴(kuò)產(chǎn)。

公開資料顯示，吳越半導(dǎo)體成立于2019年3月，是一家半導(dǎo)體研發(fā)與設(shè)計(jì)服務(wù)商，致力于半導(dǎo)體晶體、晶圓、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及半導(dǎo)體制造設(shè)備的設(shè)計(jì)研發(fā)與制造。 據(jù)悉，該公司主要從事第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）自支撐襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是國際上少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化鎵自支撐襯底生產(chǎn)制造廠家。

從制備工藝上看，氮化鎵自支撐襯底的制備通常是在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延氮化鎵膜，然后采用激光剝離技術(shù)(laserlift-offtechnique)使得氮化鎵膜與藍(lán)寶石分離，從而得到自支撐氮化鎵襯底。

2021年12月，吳越半導(dǎo)體在無錫高新區(qū)舉行GaN晶體出片儀式，會上展示了全球范圍內(nèi)首次厚度突破1厘米的氮化鎵晶體。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)