據(jù)無錫高新區(qū)消息，12月15日，吳越半導(dǎo)體GaN晶體出片儀式在無錫高新區(qū)舉行。儀式上，吳越半導(dǎo)體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破1厘米的氮化鎵晶體，并與君聯(lián)資本、新投集團(tuán)簽署A輪融資戰(zhàn)略框架協(xié)議。

公開資料顯示，第三代半導(dǎo)體GaN是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，相比于硅材料，GaN具備決定性的優(yōu)勢。由于其禁帶寬度大于2.2eV, 因此又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。有著禁帶寬度大、高擊穿電場、高電子飽和漂移速率、良好的耐溫特性等特點(diǎn)。

據(jù)悉，無錫吳越半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，是無錫先導(dǎo)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個落戶的項(xiàng)目，公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

2020年2月，吳越半導(dǎo)體、先導(dǎo)集團(tuán)與高新區(qū)管委會簽訂合作協(xié)議，在無錫高新區(qū)實(shí)施2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，可填補(bǔ)無錫市在第三代化合物半導(dǎo)體氮化鎵原材料領(lǐng)域的空白。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)