外媒報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體制程一家獨(dú)大的極紫外光曝光設(shè)備（EUV）廠商艾司摩爾（ASML），幾乎成為各半導(dǎo)體制造商發(fā)展不可或缺的伙伴，尤其10納米以下先進(jìn)制程，沒(méi)有EUV協(xié)助幾乎不能做。ASML如何爬上龍頭之位，有兩個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

20年前ASML只是名不見經(jīng)傳的小企業(yè)，和日本Nikon、Canon相較只能算小型公司。讓ASML一舉成為國(guó)際大公司，并甩開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，兩個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)至關(guān)重要，之一發(fā)生在2004年。

2004年全球半導(dǎo)體業(yè)界的曝光設(shè)備光源都是193納米，且是乾刻法。要往新一代制程發(fā)展時(shí)，須提升光源到157納米，才能提高精準(zhǔn)度。但相對(duì)研發(fā)困難度也會(huì)增加。臺(tái)積電表示，光源還可以繼續(xù)用193納米，但換個(gè)介質(zhì)試試，不再以空氣當(dāng)介質(zhì)。于是ASML嘗試以水為介質(zhì)，光源通過(guò)水會(huì)產(chǎn)生折射，使193納米光源實(shí)際效果可能比157納米好。

對(duì)臺(tái)積電的建議，Nikon、Canon都覺(jué)得不實(shí)際，不如直接研究157納米光源的曝光設(shè)備。小企業(yè)的ASML覺(jué)得自己規(guī)模沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手大，不如跟臺(tái)積電一起嘗試，成功當(dāng)然很好，失敗了也沒(méi)太大損失。這次嘗試讓ASML真的開發(fā)出新產(chǎn)品，水介質(zhì)的浸潤(rùn)式曝光設(shè)備也一舉爆紅。新設(shè)備除了成功把半導(dǎo)體生產(chǎn)精準(zhǔn)度更提高，且成本低、研發(fā)速度快，ASML短短5年就拿下全球過(guò)半市場(chǎng)，Nikon、Canon想跟進(jìn)時(shí)已來(lái)不及。

第二次ASML大幅成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)則是2015年，水介質(zhì)浸潤(rùn)式曝光設(shè)備發(fā)展到極限，接下來(lái)研究方向以波長(zhǎng)13.5納米的極紫外光EUV光刻設(shè)備為主。這時(shí)英特爾領(lǐng)頭，成立組織EUV LLC，以研究EUV光刻設(shè)備為目標(biāo)。加入EUV LLC的ASML覺(jué)得，一旦研發(fā)出先進(jìn)EUV光刻設(shè)備，可能會(huì)被美國(guó)提防，于是決定讓出公司股份，讓英特爾、臺(tái)積電、三星等半導(dǎo)體制造大廠成為股東。

證實(shí)ASML決定不僅消除美國(guó)顧慮，還贏得盟友，還因合作得到許多技術(shù)支持，順利推出EUV光刻設(shè)備，還不愁沒(méi)有地方賣，每家半導(dǎo)體制造商都搶著要。這關(guān)鍵一腳使ASML EUV光刻設(shè)備一家獨(dú)大，完全壟斷市場(chǎng)。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)