8月24日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）發(fā)布其2021年半年報(bào)，其上半年實(shí)現(xiàn)營收凈利雙增長。

凈利潤同比增長233.17%

報(bào)告顯示，2021年上半年，中微公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.39億元，同比增長36.82%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤3.97億元，同比增長233.17%。

圖片來源：中微公司公告截圖

報(bào)告指出，2021年上半年度營業(yè)收入同比增長36.82%，主要系：受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢，上半年刻蝕設(shè)備收入為8.58 億元，同比增長約83.79%，毛利率達(dá)到44.29%。由于下游市場原因，上半年MOCVD設(shè)備收入為2.19億元，同比下降約10.08%，但本期MOCVD設(shè)備的毛利率達(dá)到30.77%，較去年同期有大幅度提升。

此外，2021年上半年度公司新簽訂單金額達(dá)18.89億元，同比增長超過70%，且有部分Mini-LED MOCVD設(shè)備規(guī)模訂單已進(jìn)入最后簽署階段。

2021年上半年度歸屬于上市公司股東的凈利潤較上年同期增加約2.78億元，增長約233.17%，主要系：（1）扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤較上年同期增加約0.21 億元；（2）本期產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)損益1.71億元，包括公司2020年投資青島聚源芯星股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）3億元而間接持有中芯國際集成電路制造有限公司科創(chuàng)板股票，因本期中芯國際集成電路制造有限公司股價(jià)變動(dòng)導(dǎo)致公司產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)收益約0.74億元；以及經(jīng)評估師事務(wù)所評估，其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)（非上市公司股權(quán)投資）本期產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)收益約0.98億元；（3）計(jì)入當(dāng)期損益的政府補(bǔ)助（非經(jīng)常性損益）較上年同期增加約1.44億元。 

報(bào)告指出，報(bào)告期內(nèi)，公司繼續(xù)保持較高的研發(fā)投入，與國內(nèi)外一流客戶保持緊密合作，相關(guān)設(shè)備產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展順利、客戶端驗(yàn)證情況良好。2021年上半年公司研發(fā)投入為2.86億元，相較去年同期增長38.1%。

此外，公司在持續(xù)改善量產(chǎn)機(jī)臺的運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)效率的同時(shí)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)和客戶緊密合作，進(jìn)行更多的關(guān)鍵制程的工藝開發(fā)和驗(yàn)證，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性和市場競爭力，以拓寬機(jī)臺的生產(chǎn)能力并贏得更多的制程量產(chǎn)機(jī)會(huì)。

主要產(chǎn)品進(jìn)展情況

半年報(bào)中，中微公司披露了其主要產(chǎn)品的進(jìn)展情況。

根據(jù)報(bào)告，報(bào)告期內(nèi)，公司CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品批量應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶的集成電路加工制造生產(chǎn)線，并持續(xù)提升市場占有率，在部分客戶市場占有率已進(jìn)入前三位。

在先進(jìn)邏輯電路方面，公司成功取得5納米及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。在存儲(chǔ)電路方面，公司的刻蝕設(shè)備在64層及128層3D NAND的生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用。隨著3D NAND芯片制造廠產(chǎn)能的迅速爬升，該等產(chǎn)品的重復(fù)訂單穩(wěn)步增長。同時(shí)，公司積極布局動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的應(yīng)用，并開始工藝開發(fā)及驗(yàn)證。公司積極與主流客戶合作，定義下一代CCP 刻蝕機(jī)的主要功能及技術(shù)指標(biāo)，正開發(fā)更先進(jìn)的CCP刻蝕機(jī)產(chǎn)品。

6月15日，中微公司推出首臺用于8英寸晶圓加工的CCP刻蝕設(shè)備，豐富了現(xiàn)有的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

公司ICP刻蝕設(shè)備已經(jīng)逐步趨于成熟，Primo nanova®產(chǎn)品在10家客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行驗(yàn)證，已有超過70個(gè)工藝在客戶的生產(chǎn)線上達(dá)到指標(biāo)要求，且持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用驗(yàn)證范圍。6月，公司ICP設(shè)備Primo Nanova®第100臺反應(yīng)腔順利交付，經(jīng)過客戶驗(yàn)證的應(yīng)用數(shù)量也在持續(xù)增加。

根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，公司正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足5納米以下的邏輯芯片、1X 納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。公司研發(fā)的具有高輸出率特點(diǎn)的雙反應(yīng)臺ICP刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®也已在客戶端完成認(rèn)證，并收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。

MOCVD設(shè)備方面，報(bào)告期內(nèi)，公司正式發(fā)布用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備Prismo UniMax™，拓展了MOCVD設(shè)備產(chǎn)品線，該設(shè)備已收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的批量訂單。同時(shí)，公司正在與更多客戶合作進(jìn)行設(shè)備評估。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)