第三代半導體因為具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點，契合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求，目前已成為全球半導體技術和產業(yè)新的競爭焦點。

從全球市場范圍來看，目前全球第三代半導體市場基本被國外企業(yè)壟斷，如Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日鐵住金、Norstel、羅姆、三菱電機、Infineon、意法半導體等。

國內第三代半導體產業(yè)鏈初步形成

近年來，國家先后印發(fā)了《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019版）》《能源技術創(chuàng)新“十三五”規(guī)劃》等鼓勵性和支持性政策，將SiC、GaN和AlN等第三代半導體材料納入重點新材料目錄，推動支持SiC等第三代半導體材料的制造及應用技術的突破。

此外，《中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》也將“碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展”寫入了“科技前沿領域攻關”部分。

在國家政策扶持以及新興產業(yè)的推動下，目前，國內第三代半導體產業(yè)鏈已經初步形成。

有數(shù)據(jù)顯示，截至2020年底，全國已有近30家第三代半導體材料企業(yè)，如襯底領域的山東天岳、天科合達、同光晶體、中科鋼研、納維科技、山西爍科晶體等，外延片方面的瀚天天成、天域半導體等；模塊/器件/IDM領域則擁有中電科旗下2所/13所/55所、中車時代、世紀金光、泰科天潤、芯光潤澤、基本半導體、英諾賽科、中科漢韻、海特高新等。

此外，國內不少傳統(tǒng)半導體企業(yè)亦在加速第三代半導體領域的布局，如華潤微、聞泰科技、比亞迪、賽微電子、露笑科技、新潔能等均開始涉足。

第三代半導體項目進展

2021年以來，國內已頻繁簽約上馬多個相關產業(yè)項目，與此同時，一大批重大項目也迎來了新的進展。

東源高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產業(yè)項目簽約

6月10日，廣東省河源市東源縣與華潤水泥控股有限公司舉行廣東東源高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產業(yè)項目框架協(xié)議簽約儀式。

東源發(fā)布指出，該項目計劃總投資180億元人民幣，一期計劃投資100億元，二期計劃投資30億元，三期計劃投資50億元。全部建成達產后，預計年產值200億元，預計年上繳稅收30億元。項目建成后，將大力推動東源硅產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，進一步壯大千億級硅基新材料產業(yè)集群。

晶睿電子電子級晶圓片、外延片制造項目試生產

6月9日，浙江晶睿電子科技有限公司開機，開始試生產電子級晶圓片、外延片制造。

晶睿電子公司的電子級晶圓片、外延片制造項目總投資55億元，其中一期投資5億元，主要進行高端電子級半導體材料（8-12英寸晶圓片）切磨、拋光、外延等材料的研發(fā)、制造，以及第三代化合物半導體外延片的生產，一期投產后年產值9億元。

湖南三安半導體項目一期部分廠房完工

據(jù)長沙高新區(qū)網站6月初報道，位于長沙高新區(qū)的湖南三安半導體項目一期部分廠房已完工，預計6月底首批設備點亮。該項目總投資160億元，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地。

具體而言，項目將建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業(yè)鏈，研發(fā)、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

英諾賽科8英寸硅基氮化鎵芯片生產線量產

6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司“8英寸硅基氮化鎵芯片生產線一期第一階段產能擴展建設項目”簽約儀式，量產啟動儀式以及研發(fā)樓奠基儀式。

汾湖發(fā)布指出，英諾賽科一期項目正式開啟大規(guī)模量產，預計2021年實現(xiàn)產能可達6000片/月。項目全部達產后預計將實現(xiàn)年產能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業(yè)鏈研發(fā)生產平臺。

電科北方集成電路材料產業(yè)基地項目開工

5月31日，總投資50億元的電科北方（山東）半導體科技有限公司集成電路材料產業(yè)基地項目開工。

2019年8月21日，中國電子科技集團公司第十二研究所和晨鴻公司在淄博簽訂合作協(xié)議，在淄博打造國內首個集成電路材料產業(yè)基地，基地建設瞄準了行業(yè)最前沿的第三代半導體新材料技術。

其中，首個落戶山東晨鴻電氣有限公司集成電路材料產業(yè)基地的，便是第三代半導體的代表性材料——高品級氮化鋁粉末及復雜形狀氮化鋁陶瓷精密器件項目。

露笑科技碳化硅項目開始設備安裝調試

5月31日，露笑科技在互動平臺上表示，公司在第三代半導體碳化硅這個顛覆性材料的技術方面取得突破，目前設備已經開始安裝調試。該項目總投資100億元，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業(yè)鏈的研發(fā)和生產基地。

項目分三期建設，其中第一期預計投資21億元，建成達產后，可形成年產24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產能力；第二期預計投資39億元，建成達產后，將形成年產10萬片6英寸外延片和年產10萬片8英寸襯底片生產能力；第三期預計投資40億元，達產后將形成年產10萬片8英寸外延片和年產15萬片8英寸襯底片生產能力。

值得一提的是，為了更好的聚焦碳化硅業(yè)務，減少公司在非主營業(yè)務上的資金投入，露笑科技于今年3月發(fā)布公告稱，擬轉讓全資子公司浙江露通機電有限公司的100%股權。

中科漢韻SiC功率器件項目通線

5月24日，江蘇中科漢韻半導體有限公司舉行SiC功率器件項目通線儀式。

據(jù)悉，中科漢韻是中國科學院微電子研究所和徐州中科芯韻半導體產業(yè)投資基金共同投資的半導體芯片設計和制造企業(yè)（IDM），專注于第三代半導體碳化硅MOSFET芯片，致力于高質量碳化硅功率器件國產化。

中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產業(yè)轉化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米，建設年產5000片碳化硅功率器件生產線。該項目的正式通線，標志著我國企業(yè)突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產化中的一系列重大“卡脖子”技術。

東尼電子擬投建碳化硅半導體材料項目

4月12日，東尼電子發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預案公告，擬募集資金5億元投資建設碳化硅半導體材料等項目。

其中碳化硅半導體材料項目總投資額4.69億元，由東尼電子直接負責實施，項目建設期36個月，項目建設完成后，將年產12萬片碳化硅半導體材料，完全達產當年可實現(xiàn)年營業(yè)收入7.78億元，凈利潤9589.63萬元。

目前，該項目已經湖州市吳興區(qū)發(fā)展改革和經濟信息化局備案，并取得《浙江省工業(yè)企業(yè)“零土地”技術改造項目備案通知書》。

賽微電子擬投建硅基氮化鎵產線

4月1日，賽微電子與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》，擬在青州市建設6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目。

根據(jù)協(xié)議，該項目總投資10億元，項目一期計劃2021年底前做好投產前準備，2022年上半年投入生產，建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產能力，二期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產能力，將為全球GaN產品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和產能保障。

華瑞微半導體IDM芯片項目預計年底投產

據(jù)南譙區(qū)人民政府3月發(fā)布的消息，華瑞微半導體IDM芯片項目一期預計于今年年底正式投產，主營業(yè)務為研發(fā)、生產、銷售功率半導體芯片。根據(jù)規(guī)劃，該項目項目一期用地100畝，6萬平米的生產廠房預計今年5月封頂，年底將正式投產，一期達產后，預計年銷售額可達10億元。

據(jù)悉，該項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元，于2020年10月正式開工奠基，主要承擔第三代化合物半導體器件的研發(fā)及產業(yè)化，建設SiC MOSFET生產線。項目建成后將形成年產1萬片第三代化合物半導體器件的生產能力。

斯達半導體投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目

3月2日，斯達半導體發(fā)布公告稱，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片和功率半導體模塊等項目。

其中，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目總投資金額20億元。擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設備，實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化。項目達產后，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。

功率半導體模塊生產線自動化改造項目總投資金額為7億元，項目達產后，預計將形成新增年產400萬片的功率半導體模塊的生產能力。

亮晶新材碳化硅單晶圓芯片項目簽約新疆

2月20日，江蘇連云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅單晶圓芯片項目簽約落地新疆昌吉。

據(jù)江蘇連云港亮晶新材料科技有限公司總經理鄒立民介紹，公司計劃在準東經濟技術開發(fā)區(qū)建設年產8萬片第三代半導體芯片和碳化硅單晶圓芯片項目。

蘇州納維總部大樓奠基

1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）舉行總部大樓奠基儀式。

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，該項目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

封面圖片來源：拍信網