3月31日消息，昨日中微公司發(fā)布其2020年年報，報告期內(nèi)，中微公司實現(xiàn)營業(yè)收入22.73億元，較上年增長16.76%。歸屬于上市公司股東的凈利潤4.92億元，同比增長161.02%。扣非凈利潤2331.94萬元，同比減少84.19%。

中微公司在年報中表示，2020年歸母凈利潤實現(xiàn)翻倍增長主要源于：（1）中芯國際科創(chuàng)板股票投資公允價值變動收益約2.62億元；（2）公司2020年計入非經(jīng)常性損益的政府補助較2019 年增加約2.26億元。而該年扣非凈利潤較上年同期減少84.19%，則是由于實施股權激勵產(chǎn)生的股份支付費用約1.24億元（屬于經(jīng)常性損益）。

圖片來源：中微公司年報截圖

從營收構成來看，中微公司來自半導體設備產(chǎn)品銷售的收入達到17.99億元，來源于設備相關配件的營收為4.42億元，而設備支持服務的收入則為0.33億元。產(chǎn)品銷售中源于刻蝕設備的收入為12.89億元，同比增長約58.49%；源于MOCVD設備的收入為4.96億元，同比下降約34.47%。

圖片來源：中微公司年報截圖

在年報中，中微公司就刻蝕技術的未來發(fā)展作出了分析。分析指出隨著芯片制程向5納米及更先進制程發(fā)展，當前浸沒式光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸?？涛g技術及相關設備的重要性因此進一步提升。而在2D存儲器件的線寬接近物理極限后，NAND閃存已進入3D時代，在其制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊層數(shù)。3D NAND層數(shù)增加要求刻蝕技術實現(xiàn)更高的深寬比。

中微公司指出，為應對上述趨勢，自身在刻蝕設備技術上的研發(fā)進展包括：

（1）在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，其開發(fā)的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65 納米到5納米的芯片生產(chǎn)線上；同時，其根據(jù)廠商的需求，已開發(fā)出小于5納米刻蝕設備，用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得批量訂單。目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。

（2）在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，其電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層和128層的量產(chǎn)，同時根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上刻蝕應用及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。此外，電感性等離子刻蝕設備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，正在進行新技術研發(fā)，以滿足5納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設備研發(fā)。

在用于制造LED外延片的MOCVD設備技術上，中微公司表示，其用于Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設備的研發(fā)工作進展順利，已有設備在領先客戶端開始進行生產(chǎn)驗證；此外，制造Micro LED等應用的新型MOCVD設備也正在開發(fā)中。

中微公司在年報中稱，去年全年其研發(fā)投入總額為6.40億元，其中包含股份支付費用0.49億元。若剔除股份支付費用則全年研發(fā)投入為5.91億元，較2019年增長39.16%，主要由于新工藝的研發(fā)，包括存儲器刻蝕的CCP和ICP刻蝕設備、Mini-LED大規(guī)模生產(chǎn)的高輸出量MOCVD設備、Micro-LED應用的新型MOCVD設備等。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)