據(jù)揚州高新區(qū)消息，3月15日，總投資10億元的揚州思普爾科技有限公司半導體設備研發(fā)制造及6英寸晶圓芯片實驗線項目正式簽約落戶揚州高新區(qū)。

圖片來源：揚州高新區(qū)

 項目分三期實施，一期新建半導體設備研發(fā)中心、設備制造中心、設備工藝性能測試中心和一條6英寸晶圓芯片試驗線，主要從事半導體高溫氧化設備、全自動清洗干燥設備、涂膠顯影設備和等離子刻蝕設備的生產(chǎn)制造，預計2021年10月建成并投入使用。項目二期將啟動注入光刻機、金屬濺射平臺、深槽刻蝕等設備的研發(fā)制造，預計2023年12月底前實施到位。三期項目將在現(xiàn)有測試中心及芯片試驗線基礎上，建設特殊工藝的芯片生產(chǎn)線及成品封裝生產(chǎn)線，屆時項目產(chǎn)能將達到20億人民幣。

據(jù)介紹，揚州思普爾科技有限公司集半導體設備研發(fā)制造、升級改造、技術服務以及集成電路芯片設計、工藝研發(fā)為一體，與美國MOS、美國Quick SEMI Corp.和新加坡TLG等公司合作，開發(fā)定制晶圓清洗干燥設備、化學試劑和電子氣體供給回收設備，升級改造SEMITOOL甩干機、AG快速退火爐、NIKON光刻機、VRAIAN濺射臺、LAM刻蝕機臺等半導體設備。

2019年11月，該公司與韓國TMI公司達成半導體設備合作研發(fā)協(xié)議，立項研發(fā)芯片高溫氧化設備，全自動清洗干燥設備、涂膠顯影設備、等離子刻蝕設備。目前設備研發(fā)已經(jīng)完成，首臺樣機已經(jīng)進入工藝實測階段， 2021年實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。（全球半導體觀察綜合整理）

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