據蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。

該項目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產品生產基地，預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

圖片來源：蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布

資料顯示，蘇州納維科技成立于2007年5月，致力于第三代半導體產業(yè)核心關鍵材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的產業(yè)化開發(fā)。

據介紹，蘇州納維科技完成了從材料生長設備的自主研發(fā)到氮化鎵單晶襯底的開發(fā)和產業(yè)化，率先實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發(fā)、突破了6英寸產品的關鍵核心技術，能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶。

蘇州納維科技董事長徐科表示，此次奠基的總部大樓將重點承擔蘇州納維科技在生產、研發(fā)等方面的需求，標志著公司在市場、生產、研發(fā)等方面全面發(fā)力。

封面圖片來源：蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布