近日，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”）第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目開工儀式舉行。

Source：天科合達(dá)

資料顯示，第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目是天科合達(dá)自籌資金建設(shè)的用于碳化硅晶體襯底研發(fā)及生產(chǎn)的項(xiàng)目，總投資約9.5億元人民幣，總建筑面積5.5萬平方米，新建一條400臺(tái)/套碳化硅單晶生長(zhǎng)爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線，項(xiàng)目計(jì)劃于2022年年初完工投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片。

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司總經(jīng)理?xiàng)罱ū硎荆壳暗谌雽?dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展的階段，近兩年國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度重視，天科合達(dá)公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)和全球主要碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)之一，該項(xiàng)目在大興區(qū)黃村鎮(zhèn)順利開工建設(shè)，標(biāo)志著北京市SiC襯底材料和器件的產(chǎn)業(yè)進(jìn)程將進(jìn)一步加速發(fā)展，對(duì)于促進(jìn)我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)延伸，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要的示范意義。

科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)已獲上交所問詢

資料顯示，天科合達(dá)于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，目前注冊(cè)資本為18384萬元，是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，是全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一，擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長(zhǎng)-晶體加工-晶片加工-清洗檢測(cè)的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地；全資子公司—新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司位于新疆石河子市，主要進(jìn)行碳化硅晶體生長(zhǎng)。

目前，天科合達(dá)正在闖關(guān)科創(chuàng)板，7月14日，上交所正式受理該公司的科創(chuàng)板申請(qǐng)，目前其審核狀態(tài)為“已問詢”。根據(jù)招股說明書（申報(bào)稿）顯示，天科合達(dá)此次擬募集資金5億元，擬用于第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目。

申報(bào)稿顯示，天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃投資總額為9.6億元，其中以募集資金投入金額為5億元，將主要建設(shè)一個(gè)包括晶體生長(zhǎng)、晶片加工和清洗檢測(cè)等全生產(chǎn)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)基地。項(xiàng)目投產(chǎn)后年產(chǎn)12萬片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片約為8.2萬片，6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬片。

根據(jù)國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄（2016年版）》，碳化硅等電子功能材料列入戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品目錄。根據(jù)工信部、國(guó)家發(fā)改委、科技部與財(cái)政部聯(lián)合發(fā)布的《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，寬禁帶半導(dǎo)體材料屬于鼓勵(lì)發(fā)展的“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”，大尺寸碳化硅單晶屬于“突破重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料”。

根據(jù)2017年科技部發(fā)布的《“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》，針對(duì)碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)關(guān)鍵制造裝備的需求，開展大尺寸（6英寸）寬禁帶半導(dǎo)體材料制備、器件制造、性能檢測(cè)等關(guān)鍵裝備與工藝研究已經(jīng)列為我國(guó)“十三五”期間先進(jìn)制造領(lǐng)域的重點(diǎn)任務(wù)。

作為寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵原材料，碳化硅襯底材料制造的技術(shù)門檻較高，國(guó)內(nèi)能夠向企業(yè)用戶穩(wěn)定供應(yīng)4英寸及6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)廠商相對(duì)有限。受中美貿(mào)易環(huán)境等經(jīng)濟(jì)局勢(shì)影響，近年來我國(guó)碳化硅器件廠商的原材料供應(yīng)受到較大程度的制約，下游市場(chǎng)出現(xiàn)了供不應(yīng)求的局面。提高碳化硅襯底材料的國(guó)產(chǎn)化率、實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代是我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)亟需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸。

天科合達(dá)表示，公司擬投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目在擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)下游客戶的穩(wěn)定批量供應(yīng)，緩解下游市場(chǎng)對(duì)碳化硅襯底材料的迫切需求。同時(shí)能夠進(jìn)一步提升核心產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，提高公司在國(guó)內(nèi)和國(guó)際的市場(chǎng)地位，增強(qiáng)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的影響力。

封面圖片來源：天科合達(dá)