近日，據(jù)江蘇衛(wèi)視報道，英諾賽科氮化鎵項目作為長三角一體化先行啟動區(qū)的重點項目，該項目正在快馬的加鞭推進當(dāng)中，目前廠房施工已經(jīng)完成，明年二季度正式量產(chǎn)，年可生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片78萬片。

Source：視頻截圖

報道指出，目前，英諾賽科已經(jīng)和下游的幾家封裝企業(yè)建立合作關(guān)系，并與上海、江蘇、浙江上游端的IC設(shè)計公司等密切合作。接下來，將借助長三角的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，與區(qū)域內(nèi)更多企業(yè)開放合作，形成跨區(qū)域的產(chǎn)業(yè)鏈集群。

資料顯示，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事新型第三代半導(dǎo)體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。

據(jù)悉，英諾賽科氮化鎵項目主要建設(shè)從器件設(shè)計、驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

2019年8月29日，英諾賽科蘇州半導(dǎo)體芯片項目主廠房封頂。據(jù)吳江工信當(dāng)時發(fā)布消息指出，英諾賽科芯片項目主廠房的封頂，意味著項目整體工程進度完成65%。項目預(yù)計2020年可實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。屆時，將建成世界上第三代半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)中心，可創(chuàng)造高科技工作崗位超2000個。

封面圖片來源：視頻截圖