· 亮相針對(duì)性能（P）、帶寬（B）、容量（D）分別優(yōu)化的“AIN Family”存儲(chǔ)產(chǎn)品系列，全面賦能AI場(chǎng)景
· 舉辦“HBF之夜”活動(dòng)，拓展SK海力士HBF產(chǎn)品‘AIN B’生態(tài)系統(tǒng)，數(shù)十位科技巨頭代表出席
· “將通過(guò)繼續(xù)與客戶(hù)及各類(lèi)合作伙伴攜手合作，致力成為面向AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的核心引領(lǐng)者”

2025年10月27日，SK海力士宣布，于當(dāng)?shù)貢r(shí)間13日至16日在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞舉辦的“2025 OCP全球峰會(huì)”（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“峰會(huì)”）上，展示了下一代NAND閃存產(chǎn)品戰(zhàn)略。

公司表示：“隨著人工智能推理市場(chǎng)的快速發(fā)展，業(yè)界對(duì)能夠迅速、高效處理海量數(shù)據(jù)的NAND閃存產(chǎn)品的需求正大幅攀升。為此，公司將建立‘AIN（AI-NAND）Family’產(chǎn)品組合，以專(zhuān)為人工智能時(shí)代進(jìn)行優(yōu)化的解決方案產(chǎn)品，全面滿(mǎn)足客戶(hù)的多樣化需求。”

在峰會(huì)第二天舉行的高管會(huì)議上，SK海力士企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）產(chǎn)品開(kāi)發(fā)擔(dān)當(dāng)金千成副社長(zhǎng)作為演講嘉賓，介紹了AIN Family產(chǎn)品組合。

AIN Family在性能（Performance）、帶寬（Bandwidth）、容量（Density）三方面分別優(yōu)化的NAND閃存解決方案產(chǎn)品，旨在提升數(shù)據(jù)處理速度，并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量最大化。

AIN P（Performance）是一款專(zhuān)為大規(guī)模AI推理環(huán)境中海量數(shù)據(jù)的輸入與輸出而打造的高效解決方案。該方案通過(guò)最小化AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間的瓶頸，顯著提升了處理速度與能效。為此，公司正在以全新架構(gòu)重新設(shè)計(jì)NAND閃存與控制器，并計(jì)劃于2026年底推出樣品。

與之相反，AIN D（Density）則是一款旨在以低功耗、低成本實(shí)現(xiàn)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高容量解決方案，特別適用于AI數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。相較于現(xiàn)有基于QLC*的TB（太字節(jié)）級(jí)的SSD，AIN D可將存儲(chǔ)容量提升至最高PB（拍字節(jié)）級(jí)，同時(shí)兼顧SSD的高速性能與HDD的經(jīng)濟(jì)性，成為一種中間層存儲(chǔ)產(chǎn)品。

最后，AIN B（Bandwidth）是一款通過(guò)堆疊NAND閃存以擴(kuò)大帶寬的解決方案產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用了公司名為‘HBF*’的技術(shù)。

擁有全球頂尖HBM研發(fā)與生產(chǎn)實(shí)力的SK海力士，為應(yīng)對(duì)AI推理規(guī)模擴(kuò)大、大型語(yǔ)言模型（LLM*）發(fā)展導(dǎo)致的存儲(chǔ)容量不足問(wèn)題，很早便啟動(dòng)了AIN B的研發(fā)工作。其核心在于將高容量、低成本的NAND閃存與HBM堆疊結(jié)構(gòu)相結(jié)合。目前，公司正積極評(píng)估多種AIN B應(yīng)用方案，包括將其與HBM協(xié)同配置以補(bǔ)充容量等多種靈活模式。

為擴(kuò)大AIN B生態(tài)系統(tǒng)，SK海力士于14日晚在OCP峰會(huì)會(huì)場(chǎng)附近的科技中心（The Tech Interactive）與今年8月簽署HBF標(biāo)準(zhǔn)化諒解備忘錄（MOU）的美國(guó)閃迪公司，共同舉辦了“HBF之夜（HBF Night）”活動(dòng)，邀請(qǐng)全球科技巨頭公司的企業(yè)代表出席。

該活動(dòng)以專(zhuān)題討論會(huì)的形式進(jìn)行，吸引了來(lái)自韓國(guó)及海外的多位教授參與，并匯聚了數(shù)十位業(yè)界重要架構(gòu)師*和技術(shù)人員。在當(dāng)日的活動(dòng)中，SK海力士提出了一項(xiàng)旨在加速NAND閃存產(chǎn)品創(chuàng)新的業(yè)界合作倡議。

SK海力士開(kāi)發(fā)總管（CDO, Chief Development Officer）安炫社長(zhǎng)表示：“本次OCP全球峰會(huì)和HBF之夜活動(dòng)，充分展現(xiàn)了SK海力士作為‘全球面向AI的存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商（AI Memory Solution Provider）’在以AI為主導(dǎo)的快速變革浪潮中所取得的成就與未來(lái)愿景。”他同時(shí)強(qiáng)調(diào)：“公司將通過(guò)繼續(xù)與客戶(hù)及各類(lèi)合作伙伴攜手合作，致力成為下一代NAND閃存領(lǐng)域中面向AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的核心引領(lǐng)者。”

* NAND閃存芯片根據(jù)每個(gè)單元（Cell）可以存儲(chǔ)的信息量（比特,bit），分為SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規(guī)格。

* HBF（高帶寬閃存，High Bandwidth Flash）：與堆疊DRAM芯片的HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）相同，通過(guò)堆疊NAND閃存而制成的產(chǎn)品

* LLM（大型語(yǔ)言模型，Large Language Model）：通過(guò)學(xué)習(xí)海量數(shù)據(jù)，了解并產(chǎn)生自然語(yǔ)言的人工智能模型

* 架構(gòu)師（Architect）：半導(dǎo)體、軟件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)專(zhuān)家