近日，Kioxia（鎧俠）和Sandisk（閃迪）宣布其位于日本巖手縣北上工廠的先進半導體制造工廠—Fab2（K2）正式投入運營。

鎧俠介紹稱，F(xiàn)ab2能夠生產(chǎn)第八代218層3D閃存，采用公司革命性的CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術，并支持未來先進的3D閃存節(jié)點，以滿足人工智能（AI）驅動的存儲市場日益增長的需求。Fab2的產(chǎn)能將根據(jù)市場趨勢逐步提升，預計將于2026年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，F(xiàn)ab2工廠采用減震建筑結構，并配備最先進的節(jié)能制造設備。該工廠利用人工智能提高生產(chǎn)效率，采用節(jié)省空間的設施設計，擴大了潔凈室中制造設備的可用空間。根據(jù)2024年2月獲批的計劃，F(xiàn)ab2的部分投資將由日本政府補貼。

負責運營北上工廠的鎧俠巖手株式會社總裁兼首席執(zhí)行官柴山耕一郎表示：“我們很高興在北上工廠啟用新的Fab2工廠。Fab2生產(chǎn)的第八代及后續(xù)3D閃存產(chǎn)品將為快速崛起的人工智能市場創(chuàng)造新的價值。”

鎧俠與閃迪已建立了超過20年的成功合作伙伴關系。2023年底，鎧俠與閃迪聯(lián)手推出全球首款332層BiCS 3D NAND，單層密度達到36.4Gb/mm2，接口速率突破4.8Gb/s，提升了每瓦特存儲容量。該技術為后續(xù)1000層甚至更高層數(shù)的研發(fā)奠定了基礎。

2025年2月，雙方在德國杜塞爾多夫聯(lián)合發(fā)布了新一代4.8Gb/s NAND接口技術，兼顧功耗與性能，面向企業(yè)級SSD與高性能計算市場。

2025年7月，鎧俠與閃迪開始向合作伙伴提供BiCS9樣品，該產(chǎn)品采用112層BiCS5與現(xiàn)代CBA結合的混合架構，并配備Toggle 6.0接口，實現(xiàn)更高的讀寫速度與成本效益。