SK海力士近期推進其1c（第六代10奈米級）DRAM制程技術，成功實現六層極紫外光（EUV）光刻技術的大規(guī)模整合，成為全球領先廠商之一。該技術利用波長約13.5奈米的EUV，顯著優(yōu)化了制造流程，降低了多重圖案化的復雜度，提升了晶片的良率——目前良率已突破80%-90%，帶來讀寫性能約11%的提升以及9%的功耗降低。

SK海力士的1c DRAM計劃主要服務高性能運算與人工智能市場，現有HBM3E及即將量產的HBM4采用1b工藝，而1c工藝將率先應用于后續(xù)的HBM4E產品，并推動更高容量DDR5記憶體模組的開發(fā)。未來公司將在1d及0a制程中持續(xù)擴大EUV層數使用，并為High-NA EUV技術鋪路，進一步推動DRAM制程進入2奈米以下節(jié)點。

隨著全球AI及高性能計算對高速大容量存儲需求激增，SK海力士憑借六層EUV技術優(yōu)勢，預期在高端DDR5和HBM市場取得更大競爭力，挑戰(zhàn)三星等競爭對手，并加速TB級HBM4及萬兆速率DDR6的商用推廣，全面重塑全球記憶體市場格局。