SK海力士近期推進(jìn)其1c（第六代10奈米級(jí)）DRAM制程技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)六層極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的大規(guī)模整合，成為全球領(lǐng)先廠商之一。該技術(shù)利用波長(zhǎng)約13.5奈米的EUV，顯著優(yōu)化了制造流程，降低了多重圖案化的復(fù)雜度，提升了晶片的良率——目前良率已突破80%-90%，帶來(lái)讀寫(xiě)性能約11%的提升以及9%的功耗降低。

SK海力士的1c DRAM計(jì)劃主要服務(wù)高性能運(yùn)算與人工智能市場(chǎng)，現(xiàn)有HBM3E及即將量產(chǎn)的HBM4采用1b工藝，而1c工藝將率先應(yīng)用于后續(xù)的HBM4E產(chǎn)品，并推動(dòng)更高容量DDR5記憶體模組的開(kāi)發(fā)。未來(lái)公司將在1d及0a制程中持續(xù)擴(kuò)大EUV層數(shù)使用，并為High-NA EUV技術(shù)鋪路，進(jìn)一步推動(dòng)DRAM制程進(jìn)入2奈米以下節(jié)點(diǎn)。

隨著全球AI及高性能計(jì)算對(duì)高速大容量存儲(chǔ)需求激增，SK海力士憑借六層EUV技術(shù)優(yōu)勢(shì)，預(yù)期在高端DDR5和HBM市場(chǎng)取得更大競(jìng)爭(zhēng)力，挑戰(zhàn)三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并加速TB級(jí)HBM4及萬(wàn)兆速率DDR6的商用推廣，全面重塑全球記憶體市場(chǎng)格局。