軟銀與英特爾攜手開發(fā)新型AI內存芯片，旨在顯著降低電力消耗，助力日本構建高效節(jié)能的AI基礎設施。根據日經亞洲的報道，雙方計劃設計一種新型堆疊式DRAM芯片，采用與現有高帶寬內存（HBM）不同的布線方式，預計將電力消耗減少約50%。

該項目由新成立的公司Saimemory負責，技術來源于英特爾，并結合了東京大學等日本高校的專利成果。Saimemory將專注于芯片設計與專利管理，而制造則交由外部代工廠。項目目標是在兩年內完成原型，并在2020年代實現商業(yè)化，整體投資預計達到100億日元（約合5億元人民幣）。

軟銀作為主要投資方，已出資30億日元（約合1.5億元人民幣），同時日本理化學研究所與神港精機也在考慮參與資金或技術支持。此外，項目方還計劃申請政府支持。

隨著AI在企業(yè)管理等高階領域的深入應用，對高性能、高效率的數據處理能力的需求不斷增加，這款新型存儲器有望以更低的成本構建高質量的數據中心，滿足市場需求。