當?shù)貢r間5月7日，NEO Semiconductor推出了一項新技術(shù)，其突破性3D X-DRAM技術(shù)系列的最新進展——業(yè)界首款基于1T1C和3T0C的3D X-DRAM單元。

Source：NEO Semiconductor

NEO Semiconductor指出，該技術(shù)的推出旨在為最苛刻的數(shù)據(jù)應用提供前所未有的密度、功率效率和可擴展性。
據(jù)悉，新的1T1C和3T0C設計基于類似3D NAND的架構(gòu)，預計在2026年推出概念驗證測試芯片，將DRAM的性能與NAND的可制造性相結(jié)合，可實現(xiàn)經(jīng)濟高效、高產(chǎn)量的生產(chǎn)，密度高達512Gb——比傳統(tǒng)DRAM提高了10倍。

具體而言，新的1T1C單元集成了一個電容器和一個晶體管。它采用類似3D NAND的結(jié)構(gòu)來降低制造成本，同時利用IGZO（銦鎵鋅氧化物）溝道來增強數(shù)據(jù)保留能力，適合人工智能和內(nèi)存計算（in-memory computing）。

3T0C單元則集成了三個具有IGZO通道的晶體管：寫入晶體管、讀取晶體管和存儲晶體管。其中，存儲晶體管通過在其柵極中保存電子來保留數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)電流感應。在NEO看來，這種設計不僅適用于DRAM應用，也適用于新興的內(nèi)存計算和AI應用。

1T1C和3T0C 3D X-DRAM主要具備以下特點：

●無與倫比的保留時間和效率——得益于IGZO通道技術(shù)，1T1C和3T0C單元模擬顯示保留時間長達450秒，大大降低了刷新功率。

●通過模擬驗證-TCAD（技術(shù)計算機輔助設計）模擬證實了10納秒的快速讀/寫速度和超過450秒的保留時間。

●制造友好——采用改進的3D NAND工藝，只需進行少量改動，即可實現(xiàn)完全可擴展性并快速集成到現(xiàn)有的DRAM生產(chǎn)線中。

●超高帶寬——采用獨特的陣列架構(gòu)進行混合綁定，顯著提高內(nèi)存帶寬，同時降低功耗。

●適用于高級工作負載的高性能——專為人工智能、邊緣計算和內(nèi)存處理而設計，具有可靠的高速訪問和降低的能耗。

NEO Semiconductor創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu表示，這項創(chuàng)新突破了當今DRAM的擴展限制。隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正在重新定義內(nèi)存技術(shù)的可能性。

資料顯示，NEO Semiconductor是一家美國存儲器公司，專注于3D NAND等存儲技術(shù)。2023年，該公司宣布推出全球首個類似3D NAND的DRAM技術(shù)——3D X-DRAM。2024年8月，NEO Semiconductor又發(fā)布了最新的3D X-AI芯片技術(shù)，目標取代目前用于AI GPU加速器的HBM。