2月25日，美光（Micron）正式推出基于全新1γ（1-gamma）制程技術(shù)的16Gb DDR5存儲器，這是美光首次采用極紫外光（EUV）曝光技術(shù)。新存儲器不僅比前代產(chǎn)品具備更高效能、更低功耗，制造成本也有望進(jìn)一步下降。此外，美光表示，其1γ制程技術(shù)（第六代10nm級節(jié)點(diǎn)）未來將應(yīng)用于其他DRAM產(chǎn)品。

美光基于1γ制程的主力產(chǎn)品為16Gb DDR5存儲器，在業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓1.1V下運(yùn)行時，資料傳輸速率達(dá)9200 MT/s。與前代1β制程的16Gb DDR5存儲器相比，新款存儲器耗電量降低20%，位元密度提升30%，當(dāng)新芯片的良率達(dá)到1β16Gb DRAM的水平時，制造成本預(yù)計將下降。

美光指出，1γDRAM是繼領(lǐng)先業(yè)界的1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM制程節(jié)點(diǎn)之后，再次樹立的重大里程碑，并將有效賦能云端、工業(yè)與商業(yè)消費(fèi)端及邊緣AI設(shè)備（如AI PC、智能手機(jī)及汽車等）等未來運(yùn)算平臺。

圖片來源：美光

雖然美光將其最新16Gb DDR5存儲器標(biāo)示為9200 MT/s，但此速度明顯高于DDR5最新規(guī)范中的標(biāo)準(zhǔn)速率。美光強(qiáng)調(diào)，該芯片仍可在JEDEC規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)速度下正常運(yùn)行，而較高的速度等級則可與未來CPU有一定兼容性。美光還指出，CUDIMM或基于CXL的存儲器模塊有望利用超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的更高頻率，且發(fā)燒級DIMM產(chǎn)品也可能采用這些新DRAM，打造突破10,000 MT/s的超頻模塊。

目前美光正與筆電和服務(wù)器制造商測試基于1γ制程的16Gb DDR5存儲器芯片與模塊，并進(jìn)行抽樣測試，預(yù)計將在一或兩季內(nèi)完成資格審核，意味著美光最新存儲器產(chǎn)品有望2025年中旬開始進(jìn)入市場。美光預(yù)期，臺式電腦、筆記本電腦及服務(wù)器等所有類型的存儲器模塊都將采用這款新芯片。

隨著時間推移，美光將利用1γ制程技術(shù)生產(chǎn)其他類型的存儲器產(chǎn)品，包括GDDR7、LPDDR5X（最高可達(dá)9600 MT/s）以及資料中心級產(chǎn)品，使1γ節(jié)點(diǎn)成為公司核心技術(shù)主力。

美光1γ制程是該公司首次采用極紫外光（EUV）微影制程，其他領(lǐng)先的存儲器制造商數(shù)年前就已導(dǎo)入EUV。雖然美光較晚采用，但1γ制程相較于現(xiàn)有產(chǎn)品線具備顯著優(yōu)勢。

美光并未透露1γ制程使用多少層EUV，但推測主要是在關(guān)鍵層導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，這些層若使用傳統(tǒng)的多重曝光（multi-patterning）技術(shù)，將延長生產(chǎn)周期并影響良率。美光表示，1γ制程采用EUV搭配深紫外光（DUV）多重曝光技術(shù)，并引入新一代高介電常數(shù)金屬閘極（High-K Metal Gate）與全新后段制程（Back-End-of-Line，簡稱BEOL）電路。

目前美光1γDRAM主要在日本晶圓廠生產(chǎn)，該廠于2024年安裝美光首套EUV設(shè)備。隨著1γ存儲器產(chǎn)量提升，美光計劃在日本與中國臺灣晶圓廠增加更多EUV設(shè)備。

美光科技執(zhí)行副總裁暨技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行長Scott DeBoer表示，美光運(yùn)用其開發(fā)專有DRAM技術(shù)的專業(yè)知識，搭配EUV微影技術(shù)的策略性運(yùn)用，形成頂尖1γ存儲器的強(qiáng)大產(chǎn)品組合，以推動AI產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)向前邁進(jìn)。