隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術(shù)的快速發(fā)展，存儲行業(yè)對高性能和大容量存儲的需求不斷增長。全球五大存儲廠商——三星、SK海力士、美光、鎧俠和西部數(shù)據(jù)紛紛加大技術(shù)創(chuàng)新和市場布局力度，以滿足市場需求。近期，這些廠商發(fā)布了最新財報，披露了其在優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、拓展高附加值領(lǐng)域以及調(diào)整市場策略方面的最新進(jìn)展。

三星電子：存儲業(yè)務(wù)創(chuàng)歷史新高，高附加值產(chǎn)品引領(lǐng)增長

三星電子全年收入達(dá)300.9萬億韓元（約2055.15億美元），同比去年增長了16%，歸母凈利潤則飆升至33.6萬億韓元（約229.49億美元），同比激增130%。這一增長主要得益于其在存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)

在2024年第四季度（10-12月），三星電子營收為75.8萬億韓元(約合522.5億美元)，環(huán)比減少4%，同比增長12%；經(jīng)營利潤6.5萬億韓元(約合44.8億美元)，環(huán)比減少29%，同比增長132%；凈利潤7.8萬億韓元(約合53.8億美元)，環(huán)比減少23%，同比增長24%。

存儲業(yè)務(wù)方面，第四季度營收達(dá)到23萬億韓元（約合158.5億美元），環(huán)比增長3%，同比增長46%，創(chuàng)歷史新高。這一增長主要得益于高帶寬內(nèi)存（HBM）和高密度DDR5服務(wù)器內(nèi)存的銷量增加，以及DRAM平均售價的上漲。然而，存儲業(yè)務(wù)所在的DS部門第四季度經(jīng)營利潤為2.9萬億韓元（約合20億美元），環(huán)比減少26%，但同比增長232%。經(jīng)營利潤下滑主要是由于增加的研發(fā)費用和尖端節(jié)點生產(chǎn)能力的初期爬坡成本。

總體而言，三星電子為提升整體利潤水平，將更關(guān)注于未來高附加值產(chǎn)品的需求，擴(kuò)大更先進(jìn)節(jié)點的生產(chǎn)能力，在這種情況下，三星電子主要擴(kuò)大了以HBM和高密度DDR5服務(wù)器為中心的銷售。在減少傳統(tǒng)工藝產(chǎn)品的生產(chǎn)下，令2025年DRAM和NAND的bit output受到嚴(yán)重限制。

分具體產(chǎn)品看，在第四季度，DRAM bit出貨量環(huán)比下降約13-15%，DRAM平均售價環(huán)比增長約20%。對于NAND閃存，由于移動和PC應(yīng)用需求疲軟，疊加高價服務(wù)器SSD需求延遲，這導(dǎo)致NAND平均售價四季度環(huán)比下降中個位數(shù)百分比，NAND bit出貨量環(huán)比下降低個位數(shù)百分比。總體而言，高附加值產(chǎn)品在總銷售額中的占比增加，HBM銷售額增長1.9倍（略低于初步預(yù)測），128GB或更高容量DDR5模組銷售額增長2.5倍。

從整體資本支出來看，2024年全年資本支出為53.6萬億韓元，芯片資本支出達(dá)46.3萬億韓元，為存儲技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能提升以及存儲設(shè)計更新提供了有力保障。這也使得三星在傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品穩(wěn)固優(yōu)勢的同時，能夠在新興存儲技術(shù)領(lǐng)域不斷探索，維持在全球存儲市場的領(lǐng)先地位。

美光科技：AI驅(qū)動數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)爆發(fā)，資本支出聚焦先進(jìn)節(jié)點

美光科技在2025財年第一季度（截至2024年11月28日）取得了強(qiáng)勁的財務(wù)表現(xiàn)，實現(xiàn)營收87.1億美元，較上一季度增長12.4%，較去年同期增長84.2%。Non-GAAP下，營業(yè)利潤達(dá)到23.94億美元，營業(yè)利潤率從上季度的22.5%提升至27.5%；凈利潤為20.4億美元，較上季度增長52%，并實現(xiàn)了同比扭虧為盈。

該季度，美光的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)收入同比增長超過400%，環(huán)比增長40%，首次超過總收入的50%，推動整體業(yè)績增長。

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在業(yè)務(wù)細(xì)分方面，DRAM業(yè)務(wù)收入為64億美元，占總收入的73%，環(huán)比增長20%；NAND業(yè)務(wù)收入為22.41億美元，占總收入的26%，環(huán)比減少5%。各事業(yè)部中，Compute and Networking（CNBU）營收44億美元，環(huán)比增長46%，創(chuàng)下新季度紀(jì)錄；Mobile（MBU）營收15億美元，環(huán)比下降19%；Storage（SBU）營收17億美元，環(huán)比增長3%；Embedded（EBU）營收11億美元，環(huán)比下降10%。

展望未來，美光預(yù)計2025財年第二財季營收將達(dá)到79±2億美元，毛利率預(yù)計為38.5%±1.0%。公司計劃在2025財年投入約135-145億美元的資本支出，主要用于支持HBM和長期DRAM需求。美光將繼續(xù)優(yōu)先投資1β和1γ技術(shù)節(jié)點，以及DRAM晶圓廠建設(shè)，并在新加坡擴(kuò)大制造計劃，包括新的HBM先進(jìn)封裝設(shè)施，以滿足人工智能驅(qū)動的需求。

另外值得注意的是，美光已經(jīng)削減了NAND資本支出，并且正在謹(jǐn)慎管理NAND技術(shù)節(jié)點的升級節(jié)奏，以控制其供應(yīng)。另外，美光預(yù)計2025財年DRAM前端成本降低（不包括HBM）將在中至高個位數(shù)百分比范圍內(nèi)，NAND前端成本降低將在15%以下。

SK海力士：HBM與eSSD推動業(yè)績增長，傳統(tǒng)內(nèi)存市場面臨調(diào)整

2024年，SK海力士取得歷史性突破，全年營收達(dá)66.19萬億韓元（約48.81億美元），同比增長102%；營業(yè)利潤為23.46萬億韓元（約17.30億美元），凈利潤為19.8萬億韓元（約14.59億美元），均創(chuàng)下歷史新高。

第四季度，SK海力士營收為19.77萬億韓元（約14.57億美元），同比增長74.8%，環(huán)比增長12%；營業(yè)利潤為8.08萬億韓元（約5.96億美元），同比增長2235.8%，營業(yè)利潤率達(dá)41%；凈利潤為8萬億韓元（約5.83億美元），同比增長約24%，凈利潤率同樣達(dá)到41%。

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在其主要營收細(xì)分中，HBM銷售額已占DRAM總銷售額的40%以上，成為推動公司業(yè)績增長的主要動力。SK海力士預(yù)計2025年HBM銷售額將翻倍；此外在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，2024年eSSD銷售額較去年增長超過300%，特別是在基于QLC的大容量SSD產(chǎn)品開發(fā)方面取得了顯著進(jìn)展。

盡管HBM和eSSD等高附加值產(chǎn)品表現(xiàn)強(qiáng)勁，但傳統(tǒng)內(nèi)存市場如PC和智能手機(jī)領(lǐng)域的需求卻在下滑。SK海力士預(yù)計2025年將減少DDR4和LPDDR4等傳統(tǒng)芯片的產(chǎn)量，以專注于高價值產(chǎn)品。

2024年SK海力士的資本支出主要用于支持HBM和高密度服務(wù)器DRAM的生產(chǎn)。公司計劃在2025年繼續(xù)增加HBM3E的供應(yīng)量，并適時開發(fā)出HBM4。另外，其清州M15X晶圓廠計劃于2025年第四季度投產(chǎn)，龍仁首座晶圓廠將于2025年開建，并計劃于2027年第二季度投產(chǎn)。

西部數(shù)據(jù)：計劃在2025財年逐步減少NAND市場供應(yīng)

西部數(shù)據(jù)在2025財年第二財季（2024年10-12月）季度營收達(dá)到42.85億美元，環(huán)比增長5%，同比增長41%。凈利潤為6.47億美元，環(huán)比微幅減少0.15%，但同比實現(xiàn)了扭虧為盈。

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細(xì)分產(chǎn)品來看，其HDD營收為24.09億美元，環(huán)比增長9%，同比增長76%。HDD產(chǎn)品毛利率由上季度38.1%進(jìn)一步提升至38.6%，出貨量環(huán)比增長7%，平均單價環(huán)比由上季度的164美元上升至172美元。

其閃存產(chǎn)品營收為18.76億美元，環(huán)比下滑0.42%，但同比增長12.7%。Flash產(chǎn)品毛利率下降至32.5%，上季度為38.9%。按同類產(chǎn)品比較，閃存平均售價下降了13%，按混合基礎(chǔ)算則下降了10%。NAND Bit出貨量環(huán)比增長9%，同比下降2%。

消費者業(yè)務(wù)營收為8億美元，占總收入的18%，環(huán)比增長14%，同比下降8%。環(huán)比增長主要得益于閃存和HDD位出貨量的增加，而同比下降則是由于閃存和HDD出貨量下降以及閃存定價的影響。

西部數(shù)據(jù)表示，在該財季已順利完成分拆所需的必要關(guān)鍵融資活動，目前處于閃存業(yè)務(wù)和HDD業(yè)務(wù)分拆的最后階段，將按計劃于第三財季（2025年1-3月）末結(jié)束。分拆完成后，西部數(shù)據(jù)的閃存部門將重新成為獨立的閃迪（Sandisk）企業(yè)，David Goeckeler將轉(zhuǎn)任閃迪首席執(zhí)行官；機(jī)械硬盤部門則將繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)（Western Digital）的名稱存在，公司CEO將由現(xiàn)任全球運營執(zhí)行副總裁Irving Tan出任。

西部數(shù)據(jù)預(yù)計2025年NAND市場將持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。因此，公司計劃將產(chǎn)量減少約15%，以穩(wěn)定市場價格和提升產(chǎn)品競爭力。該公司預(yù)計第二財季（10-12月）受益于eSSD產(chǎn)品的增長和消費者季節(jié)性需求驅(qū)動，整體Flash Bit出貨量增長至中等個位數(shù)百分比。

鎧俠：拓展數(shù)據(jù)中心與企業(yè)級SSD市場

鎧俠在2024財年表現(xiàn)出色，第一季度實現(xiàn)營收4285億日元（約28.42億美元），同比增長70.65%，環(huán)比增長33.03%。第二季度營收進(jìn)一步增長至4809億日元（約31.90億美元），環(huán)比增長12.22%，幾乎是前一財年同期的兩倍。營業(yè)利潤和凈利潤也顯著提升，第二季度營業(yè)利潤為1660億日元（約11.01億美元），環(huán)比增長31.9%；凈利潤為1062億日元（約7.05億美元），環(huán)比增長52%。

圖片來源：鎧俠官網(wǎng)

細(xì)分來看，鎧俠第二季度NAND閃存位元出貨量環(huán)比增長約10%，平均售價環(huán)比增長約5%。鎧俠表示，得益于客戶庫存正?；托枨髲?fù)蘇，NAND閃存的供需失衡已得到糾正。

鎧俠預(yù)估2024財年銷售額可達(dá)1.6萬億日元，創(chuàng)下歷史新高。公司將繼續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)和運營成本，以應(yīng)對市場變化，確保盈利與公司競爭力。
目前，鎧俠已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)采用QLC技術(shù)的UFS4.0嵌入式產(chǎn)品，并推出了符合PCIe®5.0標(biāo)準(zhǔn)的NVMe EDSFF E1.S SSD。此外，鎧俠還展示了其在數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級SSD領(lǐng)域的實力。

存儲市場新興應(yīng)用驅(qū)動創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級

當(dāng)代AI、大數(shù)據(jù)、云計算等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Υ鎯π阅芎腿萘刻岢隽烁咭?，成為存儲市場增長的重要驅(qū)動力。HBM、高性能SSD等產(chǎn)品需求激增，推動了存儲技術(shù)的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。然而，智能手機(jī)、筆電等消費電子終端市場復(fù)蘇遲緩，持續(xù)影響著存儲市場的整體需求。

未來，隨著5G技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的進(jìn)一步普及以及新興技術(shù)應(yīng)用場景的不斷拓展，存儲市場有望迎來新的發(fā)展機(jī)遇，但傳統(tǒng)市場的復(fù)蘇仍需時間和新的市場刺激因素。近期多家廠商也公布了最新的技術(shù)進(jìn)展，以適配市場與日俱增的需求。

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鎧俠宣布開源AiSAQ技術(shù)，可降低生成式AI系統(tǒng)中的DRAM需求

鎧俠宣布開源其全新全存儲ANNS產(chǎn)品量化（AiSAQ）技術(shù)，這是一種針對SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索（ANNS）算法。該技術(shù)為檢索增強(qiáng)生成（RAG）提供了可擴(kuò)展的性能，無需將索引數(shù)據(jù)放置在DRAM中，而是直接在SSD上進(jìn)行搜索。這不僅減少了對昂貴DRAM的依賴，還滿足了高性能需求，顯著提升了大規(guī)模RAG應(yīng)用的性能范圍。

鎧俠的AiSAQ技術(shù)為十億級數(shù)據(jù)集提供了可擴(kuò)展且高效的ANNS解決方案，具有極低的內(nèi)存使用量和快速的索引切換功能。其主要優(yōu)勢包括允許大型數(shù)據(jù)庫在不依賴有限D(zhuǎn)RAM資源的情況下運行，從而增強(qiáng)RAG系統(tǒng)的性能；無需將索引數(shù)據(jù)加載到DRAM中，矢量數(shù)據(jù)庫可即時啟動，支持在同一臺服務(wù)器上無縫切換用戶專用或應(yīng)用專用數(shù)據(jù)庫，實現(xiàn)高效的RAG服務(wù)交付。

此外，該技術(shù)通過將索引存儲在分布式存儲中以實現(xiàn)多服務(wù)器共享，針對云系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化，可針對特定用戶或應(yīng)用程序動態(tài)調(diào)整矢量數(shù)據(jù)庫搜索性能，并促進(jìn)搜索實例在物理服務(wù)器之間的快速遷移。

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三星存儲設(shè)計更新

三星電子正在對其12納米級動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）“D1b”進(jìn)行重要設(shè)計改進(jìn)。這一改進(jìn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中引起了廣泛關(guān)注，特別是考慮到“D1b”自2023年首次量產(chǎn)以來，已經(jīng)在顯卡和手機(jī)等多個領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。三星電子已經(jīng)在根據(jù)新的“D1b”設(shè)計修改生產(chǎn)工藝，并在2024年底下達(dá)了緊急設(shè)備訂單，升級了現(xiàn)有生產(chǎn)線，并進(jìn)行了技術(shù)轉(zhuǎn)移。新款“D1b”預(yù)計最快將在2025年第二季度或第三季度發(fā)布。

此外，三星電子的第五代高帶寬存儲芯片（HBM3E）即將成為英偉達(dá)的重要技術(shù)支援，行業(yè)消息稱，三星電子的這款8層HBM3E存儲芯片已在2024年12月獲得英偉達(dá)的批準(zhǔn)，目前三星對此消息還未回應(yīng)。

據(jù)悉，HBM3E存儲芯片采用了先進(jìn)的堆疊技術(shù)，能夠在更小的體積內(nèi)提供更大的內(nèi)存容量和更高的傳輸速度，非常適合用于訓(xùn)練復(fù)雜的深度學(xué)習(xí)模型。三星計劃在2025年第二季度量產(chǎn)HBM3E 12H產(chǎn)品。HBM3E 12H相比前代產(chǎn)品有了顯著的提升，據(jù)三星官方介紹，該芯片在大數(shù)據(jù)處理上將帶來34%的效率提升，同時客戶規(guī)模也能因性能增強(qiáng)提升超過11.5倍。

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西部數(shù)據(jù)開發(fā)高性能存儲產(chǎn)品

西部數(shù)據(jù)正在開發(fā)針對人工智能訓(xùn)練和推理需求的高性能PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心企業(yè)級SSD。其中，Ultrastar DC SN861 SSD是西部數(shù)據(jù)首款企業(yè)級PCIe Gen 5.0解決方案，具備優(yōu)異的隨機(jī)讀取性能和能耗效率，容量高達(dá)16TB。該產(chǎn)品隨機(jī)讀取性能相比上一代產(chǎn)品提升約3倍，超低的延遲和快速響應(yīng)速度使其特別適用于大語言模型（LLM）的訓(xùn)練、推理和人工智能服務(wù)部署。

此外，西部數(shù)據(jù)的30TB和60TB高容量產(chǎn)品正在超大規(guī)模廠商認(rèn)證中，并取得了重大進(jìn)展。這些產(chǎn)品的開發(fā)和認(rèn)證進(jìn)展表明，西部數(shù)據(jù)正在積極滿足數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級市場對高性能、高容量存儲解決方案的需求。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)