韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界近日透露，三星電子正在改進(jìn)12納米級(jí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）“D1b”的設(shè)計(jì)。

三星電子于2023年首次量產(chǎn)“D1b”，應(yīng)用于顯卡DRAM和手機(jī)DRAM上。此次改變已生產(chǎn)一年多的DRAM設(shè)計(jì)是半導(dǎo)體行業(yè)中罕見的案例。

專業(yè)人士表示，改變?cè)O(shè)計(jì)并不是一個(gè)容易的決定，制造工藝產(chǎn)生變化后，會(huì)提高成本，此舉意味著公司有改進(jìn)工藝和產(chǎn)品的緊迫意識(shí)。

三星電子已經(jīng)在根據(jù)新的“D1b”設(shè)計(jì)修改生產(chǎn)工藝，于2024年底下達(dá)了緊急設(shè)備訂單，升級(jí)了現(xiàn)有生產(chǎn)線，并進(jìn)行了技術(shù)轉(zhuǎn)移?？紤]到設(shè)備建設(shè)和試運(yùn)行的進(jìn)度，新款“D1b”將于年內(nèi)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)最快第二季度或第三季度發(fā)布。

除改變“D1b”設(shè)計(jì)外，三星電子還啟動(dòng)了名為“D1b-p”的新開發(fā)項(xiàng)目，以增強(qiáng)DRAM競(jìng)爭(zhēng)力。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)