NAND Flash存儲大廠鎧俠為布局AI領(lǐng)域，計劃開發(fā)新的技術(shù)路線。

據(jù)日經(jīng)新聞報道，鎧俠11月6日宣布，將開發(fā)用于人工智能AI的下一代存儲器。鎧俠計劃將在今后3年內(nèi)、投下360億日元（約合人民幣16.73億元）進行技術(shù)研發(fā)，而日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省最高將補助50%費用（即180億日元），目標(biāo)在2030-2034年實現(xiàn)商業(yè)化。

鎧俠指出，將研發(fā)近年問世的CXL（Compute Express Link）省電存儲器。與DRAM相比，CXL存儲器更省電，而與NAND Flash相比，其擁有更快的讀取速度。具體而言，相較于DRAM在電力中斷時，數(shù)據(jù)就會消失，CXL存儲器即便在斷電時，也能保留大量數(shù)據(jù)，同時能降低AI驅(qū)動時的耗電量。

隨著AI熱潮席卷全球，以SK海力士、三星、美光等為代表的存儲廠商也從中受益。據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前的調(diào)查顯示，第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)。

其中，鎧俠因服務(wù)器需求略有改善，促使其當(dāng)季位元出貨量季增12%，平均銷售單價也上漲20%，第二季營收達23.26億美元，較前一季增長27.7%。

不過，作為全球第3大NAND Flash廠，鎧俠并未像三星、SK海力士那樣，生產(chǎn)近來受惠AI商機、提振需求急增的DRAM產(chǎn)品。對于此次宣布研發(fā)AI用省電存儲器，日經(jīng)新聞指出，其目標(biāo)或在于通過研發(fā)次世代存儲器、改變“僅有NAND”的事業(yè)結(jié)構(gòu)。

會議預(yù)告

2024年11月20日（周三），MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會將在深圳鵬瑞萊佛士酒店盛大舉行。

屆時，集邦咨詢研究經(jīng)理敖國鋒將帶來《閃存產(chǎn)業(yè)剖析：如何應(yīng)對2025年市場機遇與挑戰(zhàn)》的主題演講，敬請期待！

封面圖片來源：拍信網(wǎng)