三星宣布，已開始量1Tb QLC的第九代V-NAND存儲器，這是全球第一家使用這項(xiàng)新技術(shù)開始量產(chǎn)存儲器的公司。

根據(jù)韓國媒體報(bào)道指出，繼2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND之后，三星也已開始量產(chǎn)QLC第九代V-NAND。  另外，為了達(dá)成這一目標(biāo)，三星推出了多項(xiàng)新技術(shù)和新制程，包括通道孔蝕刻、設(shè)計(jì)模具、低功耗設(shè)計(jì)，以及預(yù)測程序等。

其中，在通道孔蝕刻的部分，該技術(shù)用于堆疊層，然后創(chuàng)建一個(gè)通道孔，電子可以借由該孔移動(dòng)。 這種雙層堆疊結(jié)構(gòu)使閃存有了更高的儲存密度。 與上一代QLC技術(shù)相比，其位密度提高了86%。 而在設(shè)計(jì)模具方面，控制操作單元，也就是控制晶體管開啟和關(guān)閉狀態(tài)布線的間距，將它們層壓以優(yōu)化和統(tǒng)一單元，借以通過將數(shù)據(jù)保留率提高20%來提高可靠性。

至于，預(yù)測程序則是預(yù)測單元狀態(tài)的變化，并最大限度的減少不必要的單元操作。 利用這項(xiàng)技術(shù)，三星分別將讀取和寫入數(shù)據(jù)時(shí)的功耗分別降低30%和50%。 而有了以上的幾項(xiàng)新技術(shù)，其所生產(chǎn)出的QLC第九代V-NAND存儲器，三星計(jì)劃未來將使用這些QLC V-NAND存儲器來制造消費(fèi)性和服務(wù)器應(yīng)用的SSD，以及用于移動(dòng)設(shè)備的UFS儲存。

三星電子執(zhí)行副總裁兼閃存產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人SungHoi Hur表示，在TLC版本推出僅四個(gè)月后，QLC第9代V-NAND隨即成功量產(chǎn)，這使三星能夠提供全系列先進(jìn)的SSD解決方案，滿足AI時(shí)代的需求。 隨著企業(yè)級SSD市場快速增長，對AI應(yīng)用的需求不斷加強(qiáng)，三星也將繼續(xù)藉由QLC和TLC的第9代V-NAND存儲器來鞏固三星在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。