據(jù)韓媒引述業(yè)界消息稱，已證實三星電子正準備向P4引進DRAM處理設備。線路建設已全面啟動，目標是明年6月投入運營，生產第六代1c制程 DRAM。

另據(jù)消息稱，三星電子正在考慮將1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），計劃于明年下半年出貨。因此P4很有可能成為下一代HBM生產的前沿基地。

據(jù)此前消息，三星平澤P4是綜合性半導體生產中心，分為四期計劃。三星早期規(guī)劃，一期生產NAND Flash閃存，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內存。三星已在P4一期導入DRAM設備，卻宣布擱置二期建設。

1c納米制程DRAM是第六代10納米級DRAM制程，但1c DRAM目前尚未商業(yè)化，三星電子和SK海力士都在積極準備量產。

其中，三星計劃2024年底啟動1c納米生產，考慮2025下半年推出HBM4采用1c納米DRAM裸片，或以更先進DRAM制程提升HBM4競爭力。

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