據(jù)中國臺灣中時新聞網(wǎng)報道，南亞科在29日的年度股東常會上表示，其首款1C nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品16Gb DDR5顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。

目前，南亞科10nm第二代1B制程技術(shù)，除了3顆產(chǎn)品正在試產(chǎn)中，涵蓋8/4Gb DDR4內(nèi)存和16Gb DDR5內(nèi)存。南亞科表示其首批DDR5內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。另外在設(shè)計開發(fā)中有4顆產(chǎn)品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5以及4Gb DDR3，也將逐步進(jìn)入試產(chǎn)。同時，今年南亞科將同步開發(fā)TSV技術(shù)，未來將結(jié)合DDR5內(nèi)存顆粒和該技術(shù)，制造高容量的（3DS）DRAM內(nèi)存模組，滿足服務(wù)器市場的需求。

此外，南亞科技表示，在每個制程世代都達(dá)到30%的位元提升速度，目前正同比利時imec微電子研究中心合作，為采用EUV光刻機的先進(jìn)DRAM制程做準(zhǔn)備。

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