5月16日，致真存儲芯片制造項目正式舉行開工奠基儀式。本次儀式標(biāo)志著項目正式拉開建設(shè)序幕，進入實質(zhì)性建設(shè)階段。

致真存儲芯片制造項目位于青島市西海岸新區(qū)古鎮(zhèn)口，占地面積50畝，將建設(shè)新一代磁性隨機存儲芯片加工工藝線，以加速磁存儲芯片的產(chǎn)業(yè)化進程。項目將圍繞存儲芯片領(lǐng)域，吸引產(chǎn)業(yè)相關(guān)上下游企業(yè)進行落地布局。項目建成達產(chǎn)后，將實現(xiàn)月產(chǎn)400萬顆高端芯片，年產(chǎn)值數(shù)十億。

資料顯示，致真存儲致力于MRAM芯片的研發(fā)和制造。公司團隊歷經(jīng)十余年，成功研發(fā)了高隧穿磁阻效應(yīng)的磁隧道結(jié)，是國內(nèi)首個80nm以下MRAM核心器件。公司自有國內(nèi)首創(chuàng)8英寸磁性存儲芯片專用后道工藝中試線，實現(xiàn)產(chǎn)品全流程自主可控。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)