公司管理層以“AI時代，SK海力士藍圖和戰(zhàn)略”為主題舉行記者招待會，公布了主要經(jīng)營現(xiàn)狀及未來計劃

• “預計在今年5月發(fā)布12層堆疊HBM3E 產(chǎn)品，將于第三季度開始量產(chǎn)”
• “SK海力士獨有的先進封裝工藝‘Advanced MR-MUF’，也最適于高層堆疊HBM”
• “通過韓國清州M15x、龍仁半導體集群和美國先進封裝投資，適時應對面向AI的存儲器需求劇增”

韓國首爾，2024年5月2日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）2日宣布，公司在韓國京畿道利川總部舉行了“AI時代，SK海力士藍圖和戰(zhàn)略”為主題的國內(nèi)外記者招待會，并公布了面向AI的存儲器技術力及市場現(xiàn)狀、韓國清州/龍仁/美國等未來主要生產(chǎn)據(jù)點相關的投資計劃。

在龍仁半導體集群首座工廠竣工（2027年5月）三年前舉行的此次活動，由SK海力士郭魯正CEO、金柱善社長（AI Infra擔當）、金鐘煥副社長（DRAM開發(fā)擔當）、 安炫副社長（N-S Committee擔當）、金永式副社長（制造和技術擔當）、崔宇鎮(zhèn)副社長（P&T擔當）、柳炳薰副社長（未來戰(zhàn)略擔當）、金祐賢副社長（CFO）等主要經(jīng)營層出席了現(xiàn)場。

以下是記者招待會中公司管理層發(fā)表的主要內(nèi)容。

<開場白 / 郭魯正CEO>

- 雖然目前的人工智能是以數(shù)據(jù)中心為主，但今后有望迅速擴散到智能手機、PC、汽車等端側AI（On-Device AI）

- 因此，專門用于人工智能的“超高速、高容量、低電力”存儲器需求將會暴增

- 公司具備了HBM、基于TSV的高容量DRAM、高性能eSSD等各產(chǎn)品領域的業(yè)界最高技術領導力

- 今后將通過與全球合作伙伴的戰(zhàn)略合作，提供為客戶量身定做的全球頂級存儲器解決方案

- 目前，公司的HBM生產(chǎn)方面，今年已經(jīng)全部售罄，明年也基本售罄

- 從HBM技術方面來看，公司為進一步鞏固市場領導力，預計在今年5月提供世界最高性能的12層堆疊HBM3E產(chǎn)品的樣品，并準備在第三季度開始量產(chǎn)。

- 公司希望成長為“在AI時代，客戶最為信賴、不受行業(yè)變化影響、具有實力的企業(yè)”

<AI領域存儲器展望 / 金柱善社長（AI Infra擔當）>

- 進人工智能時代后，全球產(chǎn)生的數(shù)據(jù)總量預計將從2014年的15ZB（Zetabyte，澤字節(jié)）*增長到2030年的660ZB。

* Zetabyte，澤字節(jié)：澤它（Zetta）是表示10的21次方。 按千字節(jié)（KB）、兆字節(jié)（MB）、吉字節(jié)（GB）、太字節(jié)（TB）、拍字節(jié)（PB）、艾字節(jié)（EB）、澤字節(jié)（ZB）的順序單位增大，每一個單位以1000為倍數(shù)增加(如1ZB=10億TB)。

- 面向AI的存儲器收入比重也將大幅增加。HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲器市場的占比約為5%(金額為準)，預計到2028年可以達到61%。

- SK海力士已在多種AI應用領域確保技術領導力。

- DRAM方面，正在量產(chǎn)HBM3E和256GB以上的超高容量模塊，世界最高速度的LPDDR5T也已實現(xiàn)商用。

- NAND方面也在業(yè)界唯一提供基于QLC的60TB以上SSD產(chǎn)品等，維持著世界頂級面相AI的存儲器供應商地位。

- 不止于此，公司還在開發(fā)進一步改進現(xiàn)有產(chǎn)品的新一代產(chǎn)品。

- 不僅是HBM4和HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，同時還在準備CXL Pooled（池化）存儲解決方案*、PIM(Processing-In-Memory)*等創(chuàng)新的存儲器。

* CXL Pooled Memory Solution：將多個CXL內(nèi)存捆綁在一起構成池（Pool），讓多個CPU、GPU等主機分享并使用其容量的解決方案

* PIM：在半導體存儲器中添加運算功能，在人工智能(AI)和大數(shù)據(jù)處理領域解決數(shù)據(jù)傳輸停滯問題的新一代技術

- 同時，公司將與全球頂級(Top-tier)系統(tǒng)半導體、晶圓代工等領域的合作伙伴推進‘同一團隊（One team）’合作，由此適時開發(fā)并提供最佳產(chǎn)品。

<SK海力士HBM核心技術力量和美國先進封裝項目 / 崔宇鎮(zhèn)副社長（P&T擔當）>

- 首先，介紹一下SK海力士的封裝技術能力。公司擁有的HBM核心封裝技術之一就是MR-MUF技術

- 雖然也有MR-MUF技術在高層堆疊方面可能會存在瓶頸的意見，但實際上并非如此，公司已經(jīng)在使用先進（Advanced）MR-MUF技術量產(chǎn)12層堆疊HBM3產(chǎn)品

- MR-MUF技術與過去的工藝相比，將芯片堆疊壓力降低至6%的程度，也縮短工序時間，并將生產(chǎn)效率提高至4倍，散熱率提高了45%

- 同時，公司最近引進的先進MR-MUF技術在維持MR-MUF優(yōu)點的同時，采用新的保護材料，得以散熱性能改善10%

- 最終，先進MR-MUF技術在芯片彎曲現(xiàn)象控制（Warpage control）方面也采用卓越的高溫/低壓方式，是最為適合于高層堆疊的解決方案，為實現(xiàn)16層堆疊的技術開發(fā)也在順利進展

- 公司計劃在HBM4也采用先進MR-MUF技術，從而實現(xiàn)16層堆疊，正在積極研究混合鍵合（Hybrid bonding）技術

- 接下來講一下關于美國投資的內(nèi)容。公司在上個月確定在印第安納州西拉斐特建設面向AI的存儲器先進封裝生產(chǎn)基地

- 印第安納工廠將從2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等面向AI的存儲器產(chǎn)品

- SK海力士將在該地區(qū)推進客戶合作和加強AI領域競爭力，同時也將通過與周邊大學及研究開發(fā)中心的研發(fā)合作培養(yǎng)半導體人才，為AI未來產(chǎn)業(yè)做出貢獻

<韓國清州M15x及龍仁半導體集群投資 / 金永式副社長（制造和技術擔當）>

[M15x 投資背景及計劃]

- 公司為了應對面向AI的存儲器需求劇增，在龍仁半導體集群第一座工廠投產(chǎn)前需要擴大生產(chǎn)能力（Capacity）,因此決定在已經(jīng)確保用地的清州建設M15x

- M15x是一座雙層晶圓廠，總面積達6萬3000坪。其將具備包括EUV在內(nèi)的一站式HBM生產(chǎn)工藝，與正在擴大TSV工藝生產(chǎn)能力的M15相鄰，可最大程度地提高HBM生產(chǎn)效率

- 公司在四月開始M15x工廠的建設工程，計劃在明年11月竣工后，從2026年第三季度正式投入量產(chǎn)

[龍仁半導體集群]

- 龍仁半導體集群占地面積達415萬m2（約126萬坪），其中公司的制造廠面積為56萬坪，原材料、零部件和設備企業(yè)合作園區(qū)為14萬坪，基礎設施用地為12萬坪。

- SK海力士計劃依次建造四座工廠，國內(nèi)外原材料、零部件和設備企業(yè)將入駐合作園區(qū)與SK海力士協(xié)力發(fā)展半導體生態(tài)系統(tǒng)。

- 集群用地建設進展順利，SK海力士的首座工廠將入駐的第一階段用地建設工程進展率約為42%，正在順利進行中。

- 龍仁集群內(nèi)SK海力士第一座工廠將于2025年3月開工，預計在2027年5月竣工。

- 同時，集群將投入約9000億韓元，建設迷你工廠。

- 迷你工廠與實際量產(chǎn)環(huán)境相似，原材料、零部件和設備企業(yè)可以在此進行試制品驗證，將會得到提高技術完成度的最佳解決方案。

關于SK海力士

SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），NAND Flash（NAND快閃存儲器）和CIS（CMOS圖像傳感器）等半導體產(chǎn)品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網(wǎng)站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)