·憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并得益于需求復(fù)蘇和市況回升，時(shí)隔1年實(shí)現(xiàn)季度業(yè)績(jī)扭虧為盈
·2023財(cái)年結(jié)合并收入為32.7657萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為7.7303萬(wàn)億韓元
·“將成長(zhǎng)為提供最佳存儲(chǔ)器解決方案的‘整合AI存儲(chǔ)器提供者’”

2024年1月25日，SK海力士今日發(fā)布截至2023年12月31日的2023財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.3055萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為0.3460萬(wàn)億韓元，凈虧損為1.3795萬(wàn)億韓元。2023財(cái)年第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為3%，凈虧損率為12%。

隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市況迎來(lái)反彈，公司去年第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到0.3460萬(wàn)億韓元，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。由此，公司僅時(shí)隔一年擺脫了從2022年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損。

SK海力士解釋道：“去年第四季度用于AI服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品需求增長(zhǎng)，平均售價(jià)（ASP，Average Selling Price）上升等存儲(chǔ)器市場(chǎng)環(huán)境有所改善。與此同時(shí)，公司持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)發(fā)揮了效果，僅時(shí)隔一年實(shí)現(xiàn)了季度業(yè)績(jī)扭虧為盈。”

據(jù)此，公司減少了截至去年第三季度持續(xù)的累積營(yíng)業(yè)虧損規(guī)模。2023財(cái)年結(jié)合并收入為32.7657萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為7.7303萬(wàn)億韓元，凈虧損為9.1375萬(wàn)億韓元。2023財(cái)年?duì)I業(yè)虧損率為24%，凈虧損率為28%。

SK海力士表示：“去年在DRAM方面，公司以牽引市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求，結(jié)果公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長(zhǎng)4倍和5倍以上。另外，對(duì)于市況復(fù)蘇相對(duì)緩慢的NAND閃存，主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。”

順應(yīng)高性能DRAM需求的增長(zhǎng)趨勢(shì)，SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲(chǔ)器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時(shí)將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時(shí)供應(yīng)于服務(wù)器和移動(dòng)端市場(chǎng)。而且，公司為了應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的AI服務(wù)器需求和端側(cè)AI的應(yīng)用普及，將為準(zhǔn)備高容量服務(wù)器模組MCRDIMM*和移動(dòng)端模組LPCAMM2**竭盡全力，由此持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

NAND閃存方面，公司決定通過(guò)以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷(xiāo)售，改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。

另外，SK海力士強(qiáng)調(diào)：“今年與去年一樣，通過(guò)以高附加值產(chǎn)品為主擴(kuò)大生產(chǎn)，維持提升盈利能力和效率的政策，同時(shí)實(shí)現(xiàn)資本支出（CAPEX）的最小化，將注重于業(yè)務(wù)的穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)。”

SK海力士財(cái)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)（CFO）金祐賢表示：“盡管市場(chǎng)長(zhǎng)期低迷，但公司鞏固了在用于AI的存儲(chǔ)器等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并在去年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，業(yè)績(jī)開(kāi)始全面反彈。面對(duì)新的飛躍時(shí)期，公司將引領(lǐng)變革并提供為客戶定制的解決方案，成長(zhǎng)為‘整合AI存儲(chǔ)器提供者’。”

* MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)：是將多個(gè)DRAM結(jié)合在一塊基板上的模組產(chǎn)品。模組的兩個(gè)基本信息處理運(yùn)算單位Rank同時(shí)操作，由此提升速度的產(chǎn)品

* LPCAMM2（Low Power Compression Attached Memory Module 2）：是基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品，具備了以一顆LPCAMM2取代兩顆現(xiàn)有DDR5 SODIMM的性能效果，既節(jié)省空間又實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能特性

 請(qǐng)注意：本文涉及的財(cái)報(bào)相關(guān)內(nèi)容僅代表截止2023年12月31日的初步資料。讀者不得認(rèn)為這些信息在以后仍然有效。此外，這些信息可能包括前瞻性陳述，涉及各種風(fēng)險(xiǎn)和不確定性，并可能導(dǎo)致實(shí)際結(jié)果出現(xiàn)重大差異。有關(guān)這些風(fēng)險(xiǎn)和不確定性的進(jìn)一步討論，讀者應(yīng)參考SK海力士向韓國(guó)交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士證券的要約。

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