近期，媒體報道蘋果可能會改變存儲容量，不再使用主流三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲容量達到或超過1TB的機型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。

報道指出，目前QLC NAND主要應(yīng)用于PC OEM和消費級SSD領(lǐng)域。

與TLC相比，QLC的優(yōu)勢在于每個存儲單元可以存儲四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時比TLC儲存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。

不過，業(yè)界指出，在閃存可靠性，以及寫入周期壽命方面，QLC不及TLC。

因此，一些開發(fā)QLC的存儲廠商往往會通過超額單元配置和更好的寫入周期管理功能來補償QLC較低的寫入周期壽命。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)