當(dāng)?shù)貢r間1月9日至12日，全球最大的消費(fèi)性電子展CES 2024在美國內(nèi)達(dá)華州拉斯維加斯舉辦。本次展覽主題為“ALL TOGETHER. ALL ON”，預(yù)計(jì)本屆CES吸引超13萬人參加，參展商數(shù)量超過4000家，涵蓋熱門的AI人工智能、存儲器、車用智能系統(tǒng)電競娛樂、教育科技等。

近期存儲芯片上漲風(fēng)氣正勝，存儲器備受關(guān)注。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%；DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。

一直以來，CES電子展是各大科技公司展示最新技術(shù)和產(chǎn)品的舞臺，本次讓我們將目光聚焦在正處于風(fēng)頭上的存儲廠商，有哪些存儲廠商亮相展會，帶來了哪些新的技術(shù)和重磅產(chǎn)品？

美光：LPCAMM2內(nèi)存模塊

在今年的拉斯維加斯CES展會上，美光科技宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），該模塊使用的是LPDDR5X內(nèi)存，容量從16GB到64GB不等，能為PC提供更高的性能和能效、節(jié)約更多的空間、以及模塊化的設(shè)計(jì)。

據(jù)了解，目前，美光LPCAMM2內(nèi)存模塊已經(jīng)出樣，并計(jì)劃在2024年上半年投產(chǎn)，這是自1997年推出SO-DIMM規(guī)格以來，客戶端PC首次引入顛覆性新外形尺寸。

新款LPCAMM2內(nèi)存模塊可以支持的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)9600MT/s，遠(yuǎn)高于DDR5 SO-DIMM的6400MT/s。盡管LPDDR5X在延遲方面不如DDR5，但可以利用更高的數(shù)據(jù)傳輸速率抵消。與焊接式LPDDR5X內(nèi)存子系統(tǒng)相比，模塊化外形不會增加LPDDR5X內(nèi)存的延遲。

據(jù)美光介紹，其采用LPDDR5X內(nèi)存的LPCAMM模塊與SODIMM內(nèi)存相比，體積縮小了64%，功耗低61%，在PCMark 10基本性能測試中速度提升了71%。

根據(jù)JEDEC的說法，CAMM2標(biāo)準(zhǔn)既支持用于主流機(jī)器的DDR5內(nèi)存，也支持用于“更廣泛的筆記本電腦和部分服務(wù)器市場”的LPDDR5和LPDDR5X內(nèi)存。

LPDDR內(nèi)存由于能夠在低功耗下提供高速數(shù)據(jù)傳輸，因此在筆記本電腦中更為常見。

除了速度和功耗方面的優(yōu)勢，CAMM2模塊還讓消費(fèi)者和IT人員重新獲得了升級和維修內(nèi)存的自由，唯一的小缺點(diǎn)是更換模塊需要擰幾個螺絲。

SK海力士：新一代存儲解決方案

在CES2024，SK海力士強(qiáng)調(diào)，公司將重點(diǎn)突出‘以存儲器為中心（Memory Centric*）’的未來發(fā)展藍(lán)圖。

SK海力士HBM3E達(dá)到了業(yè)界最高1.18TB/秒的數(shù)據(jù)處理速度，滿足了人工智能市場快速處理海量數(shù)據(jù)的需求。相較于上一代HBM3產(chǎn)品，HBM3E的速度提升了1.3倍，數(shù)據(jù)容量擴(kuò)大了1.4倍，該產(chǎn)品還采用了Advanced MR-MUF2最新技術(shù)，散熱性能提升了10%。

對于運(yùn)行人工智能解決方案的用戶而言，HBM3E將有助于充分發(fā)揮其系統(tǒng)的全部潛能。SK海力士計(jì)劃在2024年上半年將HBM3E投入量產(chǎn)，使客戶能夠加速發(fā)揮其人工智能系統(tǒng)的全部潛力。

除了HBM3E，SK海力士還展示了CXL3(Compute Express Link)內(nèi)存接口、CMS4(Computational Memory Solution)試制品以及基于內(nèi)存的加速器AiMX5(Accelerator-in-Memory based Accelerator)等產(chǎn)品。

其中，CXL因其能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展和提高人工智能應(yīng)用程序性能而備受矚目，并將在人工智能時代將與HBM3E一起發(fā)揮關(guān)鍵作用。

SK海力士正在不斷研發(fā)世界領(lǐng)先的產(chǎn)品，來應(yīng)對以存儲器為中心（memory-centric）的市場趨勢，進(jìn)一步鞏固其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。相關(guān)解決方案包括即將推出的HBM4和HBM4E，這些產(chǎn)品能夠提供更高的帶寬，以及LPCAMM7、CXL、PIM8與CIM9等產(chǎn)品。

鎧俠：存儲器解決方案產(chǎn)品組合

本次鎧俠（KIOXIA）重點(diǎn)展示其廣泛的固態(tài)硬盤 (SSD) 和存儲器解決方案產(chǎn)品組合，包括專為即將到來的IT需求而設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品、外形尺寸和標(biāo)準(zhǔn)。

包括可擴(kuò)展的鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)解決方案 - 包括XL-FLASH和QLC技術(shù)；

適用于汽車應(yīng)用的閃存解決方案 — 包括UFS 4.0，可支持市場不斷變化的汽車需求；

廣泛的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心SSD系列 - 代表最新的標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)和外形規(guī)格；

KIOXIA客戶端SSD包括KIOXIA XG8和BG6系列NVMe SSD。

康盈半導(dǎo)體：全系列存儲產(chǎn)品亮相

康盈半導(dǎo)體隨康佳集團(tuán)首次亮相CES 2024，并展示了最新的存儲技術(shù)和B端、C端全系列存儲產(chǎn)品。

康盈半導(dǎo)體作為康佳集團(tuán)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，此次帶來的產(chǎn)品包括智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、車載電子等領(lǐng)域的應(yīng)用方案。

康盈半導(dǎo)體現(xiàn)場展示了嵌入式存儲芯片、移動存儲卡、內(nèi)存條、固態(tài)硬盤、移動固態(tài)硬盤5大系列產(chǎn)品，涵蓋eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內(nèi)存條等，所涉及存儲產(chǎn)品品類齊全。

江波龍：嵌入式存儲、SSD等產(chǎn)品

本次CES展會期間，江波龍展出了其最新的嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、內(nèi)存條以及存儲卡等產(chǎn)品。這些產(chǎn)品采用了先進(jìn)的制程和存儲技術(shù)，具備更高的容量、更快的讀寫速度以及更可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)等特點(diǎn)。

在云端服務(wù)器領(lǐng)域，江波龍旗下行業(yè)類存儲品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM與PCIe SSD的產(chǎn)品組合方案，以匹配AI服務(wù)器領(lǐng)域大帶寬、低延遲的主要需求，該方案也可作為HBM需求的有益補(bǔ)充，目前已成功量產(chǎn)。

在智能手機(jī)等終端領(lǐng)域，江波龍預(yù)計(jì)2024年推出LPDDR5產(chǎn)品以匹配手機(jī)廠商更高的存儲需求，并持續(xù)以嵌入式分離存儲和嵌入式復(fù)合存儲等豐富產(chǎn)品組合為智能終端市場提供多元化選擇。

在智能汽車領(lǐng)域，江波龍?jiān)谥袊箨懧氏韧瞥鲕囈?guī)級eMMC和車規(guī)級UFS，符合AEC-Q100可靠性標(biāo)準(zhǔn)，均采用車規(guī)級高品質(zhì)顆粒與器件。

江波龍的XP2200 PCIe SSD采用最新的PCIe 4.0接口，讀寫速度達(dá)到了驚人的7100MB/s，是傳統(tǒng)SATA固態(tài)硬盤的近6倍。該產(chǎn)品還采用了高層堆疊的3D TLC NAND閃存芯片，容量可達(dá)2TB，可滿足用戶對高性能、大容量的存儲需求。

內(nèi)存條則采用了主流的DDR5規(guī)格，容量可達(dá)32GB，速度高達(dá)6400MT/s，相比上一代DDR4規(guī)格的產(chǎn)品，速度提升了約30%。

EPLUS系列存儲卡則采用了C10 U1 V10 A1/ C10 U3 V30 A2速度等級，支持快速的讀寫響應(yīng)和24小時不間斷視頻高清錄入，解決教育電子、穿戴設(shè)備、安防監(jiān)控?cái)嘁簟⑹д嬉约盁o法循環(huán)覆蓋、停錄、丟幀的痛點(diǎn)，滿足客戶穩(wěn)定的應(yīng)用需求。

群聯(lián)：全球首款PCIe 5.0 SSD新品

本次CES展會上，群聯(lián)推出全球首款PCIe 5.0 DRAM-Less Client SSD控制芯片E31T，性能最高將可達(dá)到14GB/s，強(qiáng)力進(jìn)軍PC OEM以及Mainstream SSD市場。

群聯(lián)總經(jīng)理馬中迅表示，PS5031-E31T是全球首款搭載7nm的PCIe 5.0 DRAM-Less 4CH client SSD控制芯片，在目前3600MT/s的NAND世代下，E31T SSD性能可達(dá)到10.8GB/s，最高容量將達(dá)到8TB；未來等待4800MT/s的下一代NAND發(fā)布后，E31T SSD的極速更將提升至14GB/s，推升PCIe 5.0 DRAM-Less SSD性能至全新的境界。

除了PCIe 5.0 DRAM-Less SSD控制芯片E31T以外，群聯(lián)也于今年的CES展出PCIe 5.0 SSD PS5026-E26、PCIe 4.0 DRAM-Less SSD PS5027-E27T以及USB 4.0 PS2251-21。

PCIe 5.0 SSD PS5026-E26極速可達(dá)到穩(wěn)定14.7GB/s讀取性能，且為全球首款在PCMark 10及3DMark Storage Tests達(dá)到1000MB/s跑分的旗艦控制芯片。

PCIe 4.0 DRAM-Less SSD PS5027-E27T為專為手持游戲主機(jī)設(shè)計(jì)的低功耗、高性能PCIe 4.0 SSD存儲方案，且提供M.2 2230的小尺寸規(guī)格。

USB 4.0 PS2251-21為全球首款單芯片(SoC)的原生USB 4.0 控制芯片，最高性能將達(dá)到4GB/s，將是內(nèi)容創(chuàng)作者以及行動存儲應(yīng)用的最佳存儲方案。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)