·通過技術(shù)力和產(chǎn)品競爭力提升收入，減少營業(yè)損失規(guī)模
·DRAM隨著高端產(chǎn)品銷售好轉(zhuǎn)，時隔兩個季度實現(xiàn)扭虧為盈
·“作為未來AI基礎設施的核心公司，將以領(lǐng)先技術(shù)力開拓新市場”

2023年10月26日，SK海力士今日發(fā)布截至2023年9月30日的2023財年第三季度財務報告。公司2023財年第三季度結(jié)合并收入為9.0662萬億韓元，營業(yè)虧損為1.7920萬億韓元，凈虧損為2.1847萬億韓元。2023財年第三季度營業(yè)虧損率為20%，凈虧損率為24%。

SK海力士解釋道：“因高性能半導體存儲器產(chǎn)品為中心的市場需求增加，公司業(yè)績在第一季度低點過后持續(xù)改善，特別是面向AI的代表性存儲器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等主力產(chǎn)品的銷售勢頭良好，與上季度相比營業(yè)收入增長24%，營業(yè)損失減少38%。”

公司還強調(diào)：“今年第一季度由盈轉(zhuǎn)虧的DRAM僅在兩個季度后扭虧為盈，其具有重要意義。”

針對營業(yè)收入的增加趨勢，SK海力士分析道：“DRAM和NAND閃存的整體銷量增長的同時，DRAM的平均售價（ASP，Average Selling Price）的上升也產(chǎn)生了較大影響。”

從產(chǎn)品來看，DRAM得益于AI等高性能面向服務器的產(chǎn)品銷售好轉(zhuǎn)，與第二季度相比出貨量增長了約20%，與此同時ASP也上升了約10%。 NAND閃存在高容量移動端產(chǎn)品和固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）的出貨量有所增加。

公司預測，扭虧為盈的DRAM得以生成型AI熱潮影響，市況有望持續(xù)好轉(zhuǎn)。連續(xù)虧損的NAND也隨著市況好轉(zhuǎn)跡象的逐漸呈現(xiàn)，公司將竭盡全力保持整體業(yè)績的改善趨勢。

今年下半年，在各存儲器供應商的減產(chǎn)效果可視化的情況下，庫存減少的客戶正在創(chuàng)造半導體存儲器采購需求，產(chǎn)品價格也進入了穩(wěn)定趨勢。

順應這一趨勢，SK海力士決定加大對HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力產(chǎn)品的投資。公司將進行以第四代10納米級(1a)和第五代10納米級(1b)DRAM為中心的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換，同時擴大對HBM TSV*技術(shù)的投資。

*TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)）：在DRAM芯片打上數(shù)千個細微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝（Advanced Packaging）技術(shù)

SK海力士財務擔當副社長（CFO）金祐賢表示：“公司引領(lǐng)著高性能存儲器市場，定位成為未來AI基礎設施的核心公司。今后將通過HBM、DDR5 DRAM等公司占據(jù)全球領(lǐng)先地位的產(chǎn)品，創(chuàng)造出與以往不同的新市場，持續(xù)加強高性能、高端半導體存儲器第一大供應商的地位。”

■ 2023財年第三季度財務報表

* 本報告根據(jù)K-IFRS（韓國會計準則）編制
* 本報告內(nèi)容尚未通過外部審計人的會計審查，在會計審查過程中可能會發(fā)生變化

請注意：本文涉及的財報相關(guān)內(nèi)容僅代表截止2023年9月30日的初步資料。讀者不得認為這些信息在以后仍然有效。此外，這些信息可能包括前瞻性陳述，涉及各種風險和不確定性，并可能導致實際結(jié)果出現(xiàn)重大差異。有關(guān)這些風險和不確定性的進一步討論，讀者應參考SK海力士向韓國交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士證券的要約。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)