清華大學(xué)官微消息,近期清華大學(xué)集成電路學(xué)院吳華強(qiáng)教授、高濱副教授基于存算一體計(jì)算范式在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,研究成果發(fā)表在《科學(xué)》(Science)上。
記憶電阻器可以在斷電之后,仍能“記憶”通過(guò)的電荷,因而其被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。
據(jù)媒體報(bào)道,吳華強(qiáng)、高濱聚焦憶阻器存算一體技術(shù)研究,探索實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)新范式。憶阻器存算一體技術(shù)在底層器件、電路架構(gòu)和計(jì)算范式上全面顛覆了馮·諾依曼傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)算力和能效的跨越式提升,同時(shí),該技術(shù)還可利用底層器件的學(xué)習(xí)特性,支持實(shí)時(shí)片上學(xué)習(xí),賦能基于本地學(xué)習(xí)的邊緣訓(xùn)練新場(chǎng)景。
課題組基于存算一體計(jì)算范式,創(chuàng)造性提出適配憶阻器存算一體實(shí)現(xiàn)高效片上學(xué)習(xí)的新型通用算法和架構(gòu),通過(guò)算法、架構(gòu)、集成方式的全流程協(xié)同創(chuàng)新,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片。
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