隨著全球游戲市場不斷增長，三星、美光等均加大力度研發(fā)針對下一代游戲顯卡的GDDR7顯存。

今年7月，三星宣布已完成了業(yè)界首款GDDR7芯片的開發(fā)工作，根據(jù)三星公開的消息，GDDR7數(shù)據(jù)速率可能會達(dá)到36 GT/s，這將明顯高于GDDR6X的22-23GT/s。

圖片來源：三星公告截圖

目前，Nvidia RTX 4080等現(xiàn)代顯卡上可用的最快圖形內(nèi)存是運行速度為22.4 Gbps的GDDR6X內(nèi)存。AMD的RX 7000顯卡僅使用GDDR6顯存，最高性能為20 Gbps。

速度的提高預(yù)計將成為GDDR7的主要吸引力之一，尤其是在高端顯卡方面。三星去年曾表示GDDR7的開發(fā)將為數(shù)據(jù)中心、HPC、移動、游戲和汽車市場帶來新功能。據(jù)了解，三星已經(jīng)向英偉達(dá)提供了樣品，用于驗證下一代系統(tǒng)。

此外值得注意的是，三星相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，GDDR7將使用PAM3信號和NRZ。在相同的信號周期內(nèi)，PAM3信號方式可比 NRZ信號方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。

除了三星外，美光也在加碼。今年7月初，美光宣布將于2024年正式推出GDDR7。美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，新產(chǎn)品將基于該公司去年推出的 1ß (1-beta) DRAM 工藝節(jié)點構(gòu)建。根據(jù)美光當(dāng)時的公告，新節(jié)點不僅會降低 DRAM 制造成本，還會提高效率和性能。其還透露，1ß將是其最后一個DRAM生產(chǎn)工藝，該工藝將依賴于深紫外 (DUV) 光刻，而不會使用極紫外 (EUV) 工具。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)