據(jù)韓媒《Etnews》引述業(yè)內(nèi)人士21日透露，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標年底NAND庫存正常化，即6-8周。今年年初，三星電子NAND庫存超過20周，最高飆升至28周，但最近已降至18周，有達到頂點后下降的趨勢。

庫存天數(shù)是指從半導(dǎo)體成品生產(chǎn)完成到發(fā)貨的時間段，用于衡量當前庫存水平以及何時耗盡的指標。

三星電子正計劃積極減產(chǎn)以降低庫存。據(jù)悉，三星下半年的晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產(chǎn)的主要目標是128層第6代V-NAND（V6），該產(chǎn)品庫存較多。

由于半導(dǎo)體是在硅晶圓的基礎(chǔ)上制造的，減少晶圓投入量就會減少產(chǎn)量。與通過增加生產(chǎn)時間來延遲出貨的“技術(shù)生產(chǎn)延遲”相比，晶圓投入的減少直接導(dǎo)致半導(dǎo)體出貨量和供應(yīng)量的減少，并被評價為快速平衡供需的一種手段。這就是為什么晶圓投入的減少被稱為“人為減產(chǎn)”。

報道引述三星電子相關(guān)人士表示，“我們正在根據(jù)客戶需求靈活地進行存儲半導(dǎo)體減產(chǎn)工作，目前無法確認減產(chǎn)的具體規(guī)?；蜷_工率。”

另據(jù)TrendForce集邦咨詢5月30日研究顯示，在2023年第一季度NAND Flash市場中，三星以34.0%的市占率占據(jù)全球第一，其次為鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光。

除了三星，SK海力士、美光、鎧俠等存儲器大廠都在實施減產(chǎn)計劃。SK海力士在其最新財報中表示，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。此前，SK海力士已經(jīng)對部分收益性較低的產(chǎn)品進行減產(chǎn)，調(diào)整了庫存水位較高產(chǎn)品的晶圓開工率。

美光此前表示，計劃將DRAM和NAND產(chǎn)能減少30%，預(yù)計減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。

鎧俠已將去年第四季度開始的減產(chǎn)幅度擴大到今年的50%，減產(chǎn)幅度為30%。而西部數(shù)據(jù)此前透露下降未來資本支出。

據(jù)TrendForce集邦咨詢7月6日研究指出，原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴大，實際需求未明，第三季NAND Flash市場仍處于供給過剩。即便下半年有季節(jié)性旺季需求支撐，但目前買方仍持保守的備貨態(tài)度，壓抑NAND Flash價格止跌回穩(wěn)。

TrendForce集邦咨詢預(yù)計，第三季NAND Flash Wafer均價預(yù)估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品，則因下游客戶拉貨遲緩，價格續(xù)跌，估第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)